| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·课题来源 | 第9页 |
| ·论文选题背景 | 第9-13页 |
| ·碳化硅的性质概述 | 第13-19页 |
| ·碳化硅的结构 | 第13-14页 |
| ·碳化硅的多型现象 | 第14-15页 |
| ·碳化硅纳米材料的性能 | 第15-18页 |
| ·碳化硅材料的用途 | 第18-19页 |
| ·研磨技术简介 | 第19-20页 |
| ·碳化硅单晶片加工技术的国内外现状 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-24页 |
| 2 SIC单晶片研磨试验准备 | 第24-32页 |
| ·试验仪器与设备 | 第24-25页 |
| ·检测仪器 | 第25-27页 |
| ·试验样品 | 第27-28页 |
| ·磨料、研磨盘及研磨膏的选择 | 第28-30页 |
| ·磨料的作用 | 第28-29页 |
| ·研磨盘的选择 | 第29-30页 |
| ·研磨膏成分的选择 | 第30页 |
| ·实验方案选择 | 第30-32页 |
| 3 研磨膏成分优化设计 | 第32-36页 |
| ·选择试验因子 | 第32页 |
| ·设计正交表进行试验 | 第32-33页 |
| ·实验结果分析 | 第33-36页 |
| ·计算数值 | 第33-35页 |
| ·确定试验因素的最优水平和最优水平组合及因素的主次顺序 | 第35-36页 |
| 4 各因素对材料去除率和表面质量的影响 | 第36-43页 |
| ·研磨盘转速对表面粗糙度、去除率的影响 | 第36-37页 |
| ·实验数据 | 第36页 |
| ·数据分析 | 第36-37页 |
| ·载物盘转速对表面粗糙度、去除率的影响 | 第37-39页 |
| ·实验数据 | 第37-38页 |
| ·数据分析 | 第38-39页 |
| ·研磨压力对表面粗糙度、去除率的影响 | 第39-40页 |
| ·实验数据 | 第39页 |
| ·数据分析 | 第39-40页 |
| ·磨料粒径对表面粗糙度、去除率的影响 | 第40-43页 |
| ·实验数据 | 第40-41页 |
| ·数据分析 | 第41-43页 |
| 5 碳化硅单晶片研磨运动分析 | 第43-49页 |
| ·硅片化学机械研磨运动学模型建立 | 第43-44页 |
| ·单颗磨粒运动轨迹分析 | 第44-46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-47页 |
| ·机理分析 | 第47-49页 |
| 6 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |