| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题来源 | 第9页 |
| ·选题背景及研究意义 | 第9-12页 |
| ·单晶碳化硅的材料特性 | 第12-15页 |
| ·单晶碳化硅的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·SiC单晶的物理性质 | 第13-14页 |
| ·SiC单晶的光学性质 | 第14页 |
| ·SiC单晶的化学性质 | 第14页 |
| ·SiC单晶的力学性质 | 第14页 |
| ·SiC单晶的电学性质 | 第14-15页 |
| ·碳化硅材料的用途 | 第15-16页 |
| ·磨料磨具方面的用途 | 第15页 |
| ·化工方面的用途 | 第15页 |
| ·用于耐磨、耐火、耐腐蚀材料 | 第15-16页 |
| ·电子器件方面的用途 | 第16页 |
| ·碳化硅单晶片加工技术的国内外现状 | 第16-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 2 SiC单晶片抛光试验准备 | 第21-29页 |
| ·化学机械抛光概述 | 第21页 |
| ·试验设备 | 第21-25页 |
| ·检测仪器 | 第25-26页 |
| ·试验样品 | 第26-29页 |
| 3 SiC单晶片(0001)C面试验 | 第29-41页 |
| ·影响碳化硅CMP的因素 | 第29-30页 |
| ·抛光液成分的选择 | 第30-36页 |
| ·磨料的选择 | 第31-32页 |
| ·PH调节剂的选择 | 第32-34页 |
| ·分散剂选择 | 第34页 |
| ·氧化剂的选择 | 第34-35页 |
| ·表面活性剂的选择 | 第35-36页 |
| ·表面活性剂特性概述 | 第35页 |
| ·表面活性剂在CMP抛光液中的作用 | 第35-36页 |
| ·正交试验设计 | 第36-38页 |
| ·选定试验因子 | 第37页 |
| ·选水平,制定因子水平表 | 第37页 |
| ·正交试验设计 | 第37-38页 |
| ·试验结果分析 | 第38-41页 |
| 4 各因素对SiC单晶片的材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第41-55页 |
| ·各因素对C面材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第41页 |
| ·PH值对去除率、表面粗糙度的影响 | 第41-43页 |
| ·磨料粒径对材料去除率、表面粗糙度的影响 | 第43-44页 |
| ·分散剂对去材料除率、表面粗糙度的影响 | 第44-46页 |
| ·氧化剂对去材料除率、表面粗糙度的影响 | 第46-47页 |
| ·磨料含量对材料去除率、表面粗糙度的影响 | 第47-49页 |
| ·载物盘转速对材料去除率、表面粗糙度的影响 | 第49-50页 |
| ·抛光盘转速对材料去除率、表面粗糙度的影响 | 第50-52页 |
| ·压力对材料去除率、表面粗糙度的影响 | 第52-55页 |
| 5 结论 | 第55-57页 |
| 攻读学位期间获奖和发表论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |