| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 缩略词表 | 第10-12页 |
| 目录 | 第12-14页 |
| 1 绪论 | 第14-32页 |
| ·引言 | 第14-16页 |
| ·静电放电模型 | 第16-22页 |
| ·人体模型(HBM) | 第16-17页 |
| ·机器模型(MM) | 第17-18页 |
| ·组件充电模型(CDM) | 第18-19页 |
| ·IEC模型 | 第19-22页 |
| ·典型ESD测试方法 | 第22-29页 |
| ·HBM和MM测试 | 第23-26页 |
| ·CDM测试 | 第26-27页 |
| ·传输线脉冲(TLP)测试 | 第27-29页 |
| ·集成电路ESD研究现状 | 第29-30页 |
| ·本论文的主要内容和组织结构 | 第30-32页 |
| 2 瞬态电压抑制器(TVS)研究与设计 | 第32-52页 |
| ·传统瞬态电压抑制器介绍 | 第32-35页 |
| ·瞬态电压抑制器(TVS)及其阵列研究与设计 | 第35-51页 |
| ·基于齐纳二极管的瞬态电压抑制器研究 | 第37-47页 |
| ·多孔道均流的瞬态电压抑制器设计 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 3 低压CMOS工艺下ESD防护单元研究与设计 | 第52-92页 |
| ·二极管的ESD防护设计与研究 | 第52-61页 |
| ·二极管的ESD防护原理 | 第52-55页 |
| ·二极管的ESD鲁棒性研究 | 第55-61页 |
| ·MOSFET的ESD防护设计与研究 | 第61-65页 |
| ·SCR的ESD防护设计与研究 | 第65-91页 |
| ·SCR的ESD防护原理 | 第66-71页 |
| ·齐纳辅助触发SCR的ESD防护设计与研究 | 第71-78页 |
| ·高维持电压LVTSCR的ESD防护设计与研究 | 第78-83页 |
| ·二极管触发的LVTSCR的ESD防护设计与研究 | 第83-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 4 高压工艺下ESD防护单元研究与设计 | 第92-106页 |
| ·高压SOI工艺下LIGBT的ESD防护设计与研究 | 第92-97页 |
| ·内嵌SCR结构的LDMOS器件的ESD设计与研究 | 第97-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 5 总结与展望 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-118页 |
| 作者简历及在学期间的科研成果 | 第118-120页 |