| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-41页 |
| ·SiC材料概述 | 第14-15页 |
| ·SiC材料的基本性质、材料制备及器件应用 | 第15-21页 |
| ·SiC多型的晶体结构 | 第15-16页 |
| ·SiC的物理和化学性质 | 第16-17页 |
| ·SiC材料的制备及掺杂 | 第17-20页 |
| ·SiC体单晶的生长及缺陷 | 第17-18页 |
| ·SiC薄膜的生长及缺陷 | 第18-19页 |
| ·SiC的n型和p型掺杂 | 第19-20页 |
| ·SiC材料的器件应用 | 第20-21页 |
| ·ZnO材料概述 | 第21页 |
| ·ZnO材料的基本性质、薄膜的生长和掺杂及其发展趋势 | 第21-27页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第21-24页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第21-22页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第22-23页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第23-24页 |
| ·ZnO的其它性质和用途 | 第24页 |
| ·ZnO薄膜的生长、掺杂及研究现状 | 第24-27页 |
| ·ZnO单晶薄膜的外延生长 | 第24-25页 |
| ·n型ZnO薄膜的研究 | 第25页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究 | 第25-26页 |
| ·ZnO的研究存在的问题和发展趋势 | 第26-27页 |
| ·薄膜的制备与表征 | 第27-37页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第27-32页 |
| ·溅射技术 | 第27-28页 |
| ·溶胶凝胶技术 | 第28页 |
| ·化学气相淀积技术 | 第28页 |
| ·金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD) | 第28-29页 |
| ·本论文所用的MOCVD系统简介及改进 | 第29-32页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第32-37页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第33页 |
| ·拉曼散射(Raman) | 第33-34页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第34-35页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第35页 |
| ·霍尔效应测量(Hall) | 第35-36页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第36页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第36-37页 |
| ·本论文的主要工作 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第二章 无空洞SiC薄膜的外延生长及Al掺杂SiC薄膜的研究 | 第41-70页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·SiC-Si异质外延生长机理及竞位外延掺杂模型 | 第41-44页 |
| ·SiC-Si异质外延生长机理 | 第41-44页 |
| ·竞位外延掺杂模型 | 第44页 |
| ·样品制备 | 第44-45页 |
| ·无空洞SiC薄膜的外延 | 第45-50页 |
| ·硅化对SiC薄膜结晶质量的影响 | 第45-47页 |
| ·三步法生长无空洞SiC薄膜 | 第47-50页 |
| ·Al掺杂SiC薄膜的研究 | 第50-65页 |
| ·TMA对SiC薄膜结构特性的影响 | 第51-60页 |
| ·结晶质量的提高 | 第51-53页 |
| ·生长模式的转变 | 第53-56页 |
| ·Al掺杂SiC薄膜的Raman研究 | 第56-58页 |
| ·Al掺杂SiC薄膜的XPS分析 | 第58-60页 |
| ·Al:SiC/n-Si(100)异质结电学性质研究 | 第60-65页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性 | 第60-63页 |
| ·霍尔测量 | 第63-64页 |
| ·深能级瞬态谱(DLTS)研究 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 Al和N-Al掺杂ZnO薄膜的特性研究 | 第70-99页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜的制备及其光电特性 | 第70-76页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·样品制备 | 第71-72页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜的结构和表面形貌 | 第72-74页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜光学性质分析 | 第74-75页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜的电学性质 | 第75-76页 |
| ·小结 | 第76页 |
| ·N-Al共掺ZnO薄膜的外延生长 | 第76-95页 |
| ·引言-共掺理论的介绍与思考 | 第76-79页 |
| ·样品制备 | 第79-80页 |
| ·N-Al掺杂对ZnO薄膜结构的影响 | 第80-82页 |
| ·N-Al掺杂ZnO薄膜的表面形貌 | 第82-83页 |
| ·N-Al掺杂ZnO薄膜的光学性质分析 | 第83-91页 |
| ·室温光致发光 | 第83-84页 |
| ·低温光致发光研究 | 第84-91页 |
| ·N-Al掺杂ZnO薄膜的XPS分析 | 第91-92页 |
| ·N-Al共掺ZnO薄膜的电学性质及p型ZnO薄膜的稳定性 | 第92-93页 |
| ·关于射频等离子体辅助N掺杂制备p型ZnO的思考 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第四章 ZnO薄膜水汽外延的初步研究 | 第99-118页 |
| ·引言 | 第99页 |
| ·样品的制备 | 第99-100页 |
| ·结果与讨论 | 第100-114页 |
| ·载气总流量对生长的影响 | 第100-103页 |
| ·源流量对ZnO薄膜生长的影响 | 第103-104页 |
| ·生长温度对ZnO薄膜生长的影响 | 第104-107页 |
| ·过渡层对ZnO薄膜生长的影响 | 第107-112页 |
| ·低温同质过渡层 | 第107-110页 |
| ·SiC过渡层 | 第110-112页 |
| ·退火对薄膜性能的影响 | 第112-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-118页 |
| 第五章 总结与展望 | 第118-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 读博期间发表的论文 | 第124-125页 |
