n型4H-SiC欧姆接触的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第8-10页 |
| ·国内外发展状况 | 第10-11页 |
| ·本文要解决的主要问题 | 第11-12页 |
| ·研究内容、研究方法及章节安排 | 第12-13页 |
| 2 SiC欧姆接触基本原理及测试方法 | 第13-32页 |
| ·金半接触原理 | 第13-18页 |
| ·金属半导体接触基本参数 | 第13-14页 |
| ·肖特基(Schottky)势垒的形成 | 第14-15页 |
| ·载流子输运机制 | 第15-17页 |
| ·欧姆接触形成的原理 | 第17-18页 |
| ·欧姆接触获得低接触电阻的条件 | 第18-19页 |
| ·金属-SiC接触特性 | 第19-20页 |
| ·SiC欧姆接触材料的选择方案 | 第20-25页 |
| ·n型SiC欧姆接触 | 第21-23页 |
| ·p型SiC欧姆接触 | 第23-24页 |
| ·本文选择的金属方案 | 第24-25页 |
| ·欧姆接触测试方法 | 第25-31页 |
| ·传输线模型(TLM) | 第25-27页 |
| ·圆环传输线模型(CTLM) | 第27-29页 |
| ·圆点传输线模型 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 n型4H-SiC欧姆接触制备工艺及测试评价 | 第32-41页 |
| ·电极制备工艺 | 第32-40页 |
| ·标准工艺 | 第32-37页 |
| ·欧姆电极制备 | 第37-39页 |
| ·电学参数测试 | 第39页 |
| ·结构表征 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 NICr/4H-SiC欧姆接触 | 第41-48页 |
| ·接触材料的选取 | 第41页 |
| ·工艺过程 | 第41-42页 |
| ·比接触电阻ρ_c | 第42-44页 |
| ·退火研究 | 第44-46页 |
| ·微观结构分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5 Ti/4H-SiC欧姆接触 | 第48-58页 |
| ·接触材料的选择 | 第48页 |
| ·工艺过程 | 第48-49页 |
| ·接触的I-V特性 | 第49-50页 |
| ·比接触电阻ρ_c | 第50-52页 |
| ·微观结构分析 | 第52-55页 |
| ·表面氢化对欧姆接触的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
