| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·化学浴沉积(Chemical Bath Deposition)简介 | 第10-13页 |
| ·化学浴沉积的特点 | 第10-11页 |
| ·化学浴沉积的理论基础 | 第11-13页 |
| ·化学浴沉积(CBD)在合成硫族化合物薄膜方面的应用 | 第13-20页 |
| ·化学浴沉积(CBD)研究的历史背景 | 第13-16页 |
| ·化学浴沉积(CBD)在成硫族化合物薄膜方面的发展现状 | 第16-17页 |
| ·化学浴沉积(CBD)薄膜的表征方法 | 第17-20页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 化学浴沉积制备γ-MnS薄膜 | 第21-33页 |
| ·前言 | 第21-22页 |
| ·反铁磁性物质 | 第21页 |
| ·硫化锰(MnS)性能与结构介绍 | 第21-22页 |
| ·实验部分 | 第22页 |
| ·实验制备过程中所用的主要仪器 | 第22页 |
| ·实验步骤 | 第22页 |
| ·化学浴沉积制备晶态γ-MnS薄膜 | 第22-25页 |
| ·样品制备 | 第22-23页 |
| ·实验结果与分析 | 第23-25页 |
| ·化学浴沉积制备(002)取向的γ-MnS薄膜 | 第25-31页 |
| ·样品制备 | 第25-26页 |
| ·实验结果与分析 | 第26-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第3章 化学浴沉积的反应机理探讨 | 第33-43页 |
| ·化学浴沉积(CBD)反应过程与生长模式 | 第33-40页 |
| ·化学浴沉积(CBD)反应过程与生长模式的确立 | 第33-38页 |
| ·CBD薄膜的反应过程 | 第38-39页 |
| ·CBD薄膜的两种生长模式 | 第39-40页 |
| ·化学浴沉积(CBD)制备MnS薄膜的反应机制 | 第40-42页 |
| ·化学浴沉积制备晶态γ-MnS薄膜的反应过程 | 第40页 |
| ·化学浴沉积制备取向γ-MnS薄膜的反应过程探讨 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 化学浴沉积制备γ-MnS薄膜的光吸收分析 | 第43-55页 |
| ·半导体材料的带隙吸收 | 第43-45页 |
| ·半导体材料的吸收机制 | 第43-44页 |
| ·直接跃迁和间接跃迁 | 第44-45页 |
| ·薄膜材料光吸收系数的计算 | 第45-49页 |
| ·MnS薄膜的光吸收分析 | 第49-54页 |
| ·不同温度下MnS薄膜的光吸收分析 | 第49-52页 |
| ·不同络合剂浓度条件下MnS薄膜的光吸收分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 γ-MnS薄膜的光致发光谱(PL) | 第55-65页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·固体的发光 | 第55页 |
| ·奈尔(Neel)温度 | 第55-56页 |
| ·斯托克斯效应 | 第56页 |
| ·锰化合物的光致发光 | 第56-60页 |
| ·自束缚态Mn~(2+)激发子衰变的光致发光过程 | 第56-58页 |
| ·杂质-扰动的Mn~(2+)发光中心的光致发光过程 | 第58-60页 |
| ·γ-MnS薄膜光致发光谱分析 | 第60-63页 |
| ·样品的制备 | 第60页 |
| ·实验结果与分析 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第6章 化学浴沉积制备四氧化三锰(Mn_3O_4) | 第65-77页 |
| ·前言 | 第65-66页 |
| ·四氧化三锰的结构以及性能介绍 | 第65-66页 |
| ·实验部分 | 第66-73页 |
| ·样品制备 | 第66-67页 |
| ·四氧化三锰(Mn_3O_4)薄膜表征与分析 | 第67-71页 |
| ·四氧化三锰(Mn_3O_4)共沉积粉体的表征 | 第71-73页 |
| ·化学浴沉积制备Mn_3O_4的反应机理探讨 | 第73-74页 |
| ·光学性质测量与分析 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
