陈列传感器下金属板中缺陷扰动的磁场量分布研究
| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1．1 交变磁场检测技术概述 | 第7-10页 |
| 1．1．1 交变磁场检测技术的概念范畴 | 第7页 |
| 1．1．2 国内外现状及发展趋势 | 第7-8页 |
| 1．1．3 交变磁场检测技术的原理 | 第8-10页 |
| 1．2 电磁场数值计算方法的采用 | 第10-11页 |
| 1．3 课题的来源及意义 | 第11-12页 |
| 1．4 本文研究内容及论文安排 | 第12-13页 |
| 第二章 有限元数值法对三维涡流场问题的基本描述 | 第13-20页 |
| 2．1 位函数对时稳场的描述方程 | 第13-15页 |
| 2．2 位函数对涡流场求解区域的描述 | 第15-20页 |
| 第三章 磁芯和检测线圈对扰动信号的影响 | 第20-30页 |
| 3．1 受平板矩形缺陷扰动的磁场分布特性的描述 | 第20-23页 |
| 3．1．1 仿真分析模型的描述 | 第20-21页 |
| 3．1．2 扰动磁场量和缺陷参数的对应关系 | 第21-23页 |
| 3．2 磁芯对扰动信号的影响 | 第23-25页 |
| 3．2．1 含磁芯激励线圈模型的建立 | 第23页 |
| 3．2．2 仿真结果及分析 | 第23-25页 |
| 3．3 检测线圈对拾取信号的改进 | 第25-29页 |
| 3．3．1 检测原理 | 第25-26页 |
| 3．3．2 检测线圈尺寸设计 | 第26-27页 |
| 3．3．3 检测线圈对拾取信号的影响 | 第27-29页 |
| 3．4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 激励阵列传感器的分析 | 第30-43页 |
| 4．1 引言 | 第30页 |
| 4．2 仿真分析模型的描述 | 第30-31页 |
| 4．3 两个激励线圈之间距离的确定 | 第31-37页 |
| 4．3．1 仿真分析结果 | 第31-35页 |
| 4．3．2 实验验证 | 第35-37页 |
| 4．4 Bz对缺陷长度的描述 | 第37-38页 |
| 4．5 Bx对缺陷深度的描述 | 第38-41页 |
| 4．5．1 Bx和缺陷深度的函数关系 | 第38-40页 |
| 4．5．2 实验结果 | 第40-41页 |
| 4．6 对实验和理论之间存在的误差的分析 | 第41页 |
| 4．7 本章小结 | 第41-43页 |
| 第五章 检测阵列传感器的分析 | 第43-50页 |
| 5．1 引言 | 第43-44页 |
| 5．2 仿真分析模型的描述 | 第44页 |
| 5．3 检测阵列传感器的仿真结果分析 | 第44-47页 |
| 5．3．1 Bx信号 | 第45-46页 |
| 5．3．2 Bz信号 | 第46-47页 |
| 5．4 实验验证 | 第47-48页 |
| 5．5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 激励、检测阵列传感器的分析 | 第50-58页 |
| 6．1 激励阵列下类匀强场的研究 | 第50-52页 |
| 6．2 有效透入深度的确定 | 第52-55页 |
| 6．2．1 仿真模型描述 | 第52-53页 |
| 6．2．2 仿真结果 | 第53-55页 |
| 6．3 Bx对表面缺陷深度的描述 | 第55-56页 |
| 6．4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第七章 结论和展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64页 |
