| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 资料综述 | 第9-27页 |
| ·场发射的基本原理 | 第9-12页 |
| ·隧道效应 | 第9-10页 |
| ·F-N场发射公式 | 第10-11页 |
| ·尖端效应 | 第11-12页 |
| ·场发射材料的研究现状 | 第12-16页 |
| ·金属及合金场发射材料的研究 | 第12-13页 |
| ·金刚石及碳化物发射体材料的研究 | 第13-15页 |
| ·难熔金属硅化物发射体材料的研究 | 第15-16页 |
| ·自生复合材料基本理论 | 第16-22页 |
| ·共晶自生复合材料基本理论 | 第16-17页 |
| ·共晶生长模型 | 第17-19页 |
| ·共晶合金的定向凝固 | 第19-22页 |
| ·定向凝固技术的发展现状 | 第22-25页 |
| ·选题意义及背景 | 第25页 |
| ·本文所作的工作及技术路线 | 第25-27页 |
| 第2章 实验装置和工艺 | 第27-33页 |
| ·切克拉斯基法实验设备及工艺 | 第27-30页 |
| ·实验设备 | 第27-29页 |
| ·实验工艺 | 第29-30页 |
| ·试样的制备和组织分析 | 第30页 |
| ·电子束区熔法实验设备及工艺 | 第30-33页 |
| ·电子束区熔设备 | 第30-31页 |
| ·实验方法 | 第31-32页 |
| ·试样的制备和组织分析 | 第32-33页 |
| 第3章 CZ法共晶材料的制备 | 第33-48页 |
| ·切克拉斯基法基本原理 | 第33-34页 |
| ·Si-TaSi_2共晶凝固的实验过程及现象分析 | 第34-37页 |
| ·工艺参数对晶体质量的影响 | 第37-42页 |
| ·坩埚形状对晶体生长的影响 | 第37-39页 |
| ·晶体／坩埚旋转对晶体生长的影响 | 第39-41页 |
| ·提拉速率对晶体生长的影响 | 第41-42页 |
| ·凝固速率对TaSi_2纤维直径、纤维间距和纤维体积分数的影响 | 第42-45页 |
| ·TaSi_2平均纤维间距和平均纤维直径 | 第42-44页 |
| ·TaSi_2纤维体积分数 | 第44-45页 |
| ·晶体生长固液界面的控制 | 第45-46页 |
| ·晶棒不同位置晶体生长条件变化 | 第46-47页 |
| ·轴向位置 | 第46页 |
| ·径向位置 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 共晶材料的凝固组织 | 第48-67页 |
| ·Si-TaSi_2共晶体的相组成 | 第48-51页 |
| ·Si-TaSi_2共晶自生复合材料中纤维相的分布 | 第51-54页 |
| ·纤维参数沿轴向的分布变化 | 第51-53页 |
| ·纤维参数沿径向分布变化 | 第53页 |
| ·纤维分布不均匀的机理分析 | 第53-54页 |
| ·Si-TaSi_2共晶初始生长时TaSi_2偏析 | 第54页 |
| ·TaSi_2共晶纤维的横向形貌 | 第54-57页 |
| ·Si-TaSi_2共晶体的腐蚀 | 第57-59页 |
| ·晶体中各相的生长机制 | 第59-64页 |
| ·复合材料中的位相关系 | 第59-60页 |
| ·复合材料组织中的共晶TaSi_2生长过程 | 第60-61页 |
| ·晶体的生长机制 | 第61-64页 |
| ·材料的场发射性能 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第5章 EBFZM凝固及其组织 | 第67-77页 |
| ·电子束熔区平均温度梯度及稳定性 | 第67-69页 |
| ·熔区平均温度梯度 | 第67-69页 |
| ·熔区稳定性 | 第69页 |
| ·电子束区熔法数学模型和温度梯度 | 第69-71页 |
| ·数学模型 | 第70页 |
| ·温度梯度和区熔速率之间的关系 | 第70-71页 |
| ·Si-TaSi_2共晶体EBFZM凝固 | 第71-74页 |
| ·共晶体定向凝固界面稳定性判据 | 第71页 |
| ·低区熔速率下共晶体的凝固规律 | 第71-72页 |
| ·低区熔速率下共晶体的凝固组织 | 第72-74页 |
| ·R=0.6mm／min共晶体凝固行为和组织 | 第74页 |
| ·EBFZM共晶体中纤维相的特点 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
