| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-30页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·ZnSe的主要应用 | 第8-10页 |
| ·ZnSe晶体的理化性质 | 第10-16页 |
| ·ZnSe晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnSe的能带结构 | 第11-12页 |
| ·ZnSe的相图及热力学性质 | 第12-15页 |
| ·ZnSe的其它理化性质 | 第15-16页 |
| ·ZnSe晶体的生长技术及其研究现状 | 第16-24页 |
| ·化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition) | 第17-18页 |
| ·物理气相沉积法(PVD) | 第18页 |
| ·分子束外延生长法(MBE，即Molecule Beam Epitaxy) | 第18-19页 |
| ·热壁外延法(Hot Wall Epitaxy) | 第19-21页 |
| ·化学浴沉积法(CBD) | 第21-22页 |
| ·电化学沉积方法 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第23-24页 |
| ·研究目标与课题来源 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 ZnSe薄膜的热壁外延法生长 | 第30-48页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·热壁外延生长的原理 | 第30-34页 |
| ·基本原理和方法 | 第30-31页 |
| ·ZnSe薄膜的热壁外延生长原理分析 | 第31-34页 |
| ·热壁外延设备的建立和温场的实现 | 第34-38页 |
| ·热壁外延炉的建造 | 第34-35页 |
| ·温度梯度场的实现 | 第35-38页 |
| ·反应管的设计与制作 | 第38页 |
| ·衬底的选择与处理 | 第38-40页 |
| ·薄膜制备实验 | 第40页 |
| ·实验结果及测试分析 | 第40-45页 |
| ·输运剂的作用分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 改进溶剂热法制备ZnSe薄膜研究 | 第48-60页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·溶剂热法制备ZnSe的进展 | 第48页 |
| ·制备实验发 | 第48-50页 |
| ·反应釜的制作 | 第48-49页 |
| ·衬底的选择与处理 | 第49页 |
| ·原料与反应试剂的选择 | 第49-50页 |
| ·实验过程 | 第50页 |
| ·实验结果测试及分析 | 第50-52页 |
| ·不同工艺条件对薄膜生长的影响 | 第52-58页 |
| ·不同衬底处理方法的影响 | 第53-54页 |
| ·不同生长温度的影响 | 第54-57页 |
| ·不同保温时间的影响 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第四章 ZnSe纳米晶的溶剂热法制备 | 第60-66页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·溶剂热法的进展 | 第60-61页 |
| ·制备实验 | 第61-62页 |
| ·实验结果测试及讨论 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 主要结论 | 第66-68页 |