| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| ·GAN 材料及器件发展简述 | 第10-11页 |
| ·GAN 材料的晶体结构和基本物理性质 | 第11-16页 |
| ·GAN 薄膜的研究现状 | 第16-20页 |
| ·一维GAN 纳米材料的研究概况 | 第20-29页 |
| ·本论文的选题依据 | 第29-32页 |
| 第二章 实验设备与测试方法 | 第32-40页 |
| ·实验设备介绍 | 第32-34页 |
| ·实验材料 | 第34-35页 |
| ·样品的测试和表征 | 第35-40页 |
| 第三章 两步生长模式合成GAN 纳米结构和薄膜的研究 | 第40-64页 |
| ·氨化溅射Ga_2O_3/CO 薄膜制备GAN 纳米线 | 第40-41页 |
| ·氨化温度对合成一维GAN 纳米结构的影响 | 第41-48页 |
| ·氨化时间对合成一维GAN 纳米结构的影响 | 第48-52页 |
| ·不同中间层厚度合成一维GAN 纳米结构的对比 | 第52-55页 |
| ·GAN 纳米结构的生长机制初探 | 第55-58页 |
| ·氨化合成GAN 薄膜 | 第58-64页 |
| 第四章 全文总结 | 第64-66页 |
| ·本论文的主要研究结果 | 第64-65页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |