Si基溅射Nb/Ga2O3氨化制备GaN纳米材料的研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-32页 |
第一节 GAN 材料的基本性质及研究进展 | 第11-18页 |
第二节 低维GAN 材料的研究概况 | 第18-27页 |
第三节 NB 的基本性质以及应用 | 第27-29页 |
第四节 课题来源及选题依据 | 第29-32页 |
第二章 实验设备和测试方法 | 第32-40页 |
第一节 实验设备 | 第32-34页 |
第二节 实验中所需要的主要材料和试剂 | 第34-35页 |
第三节 测试表征手段 | 第35-40页 |
第三章 氨化时间对合成一维GAN 纳米材料的影响 | 第40-52页 |
第一节 一维GAN 纳米材料的制备 | 第40-42页 |
第二节 实验结果和讨论 | 第42-50页 |
第三节 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 氨化温度对合成一维GAN 纳米材料的影响 | 第52-62页 |
第一节 一维GAN 纳米材料的制备 | 第52-53页 |
第二节 实验结果和讨论 | 第53-61页 |
第三节小结 | 第61-62页 |
第五章 一维GAN 纳米材料的生长机制初探 | 第62-72页 |
第一节一维GAN 纳米材料的生长过程 | 第63-70页 |
第二节 一维GAN 纳米材料生长过程的能量分析 | 第70-72页 |
第六章 结论 | 第72-76页 |
第一节 本论文的主要研究内容及成果 | 第72-73页 |
第二节 对今后工作的建议 | 第73-76页 |
参考文献 | 第76-84页 |
论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第84-88页 |
致谢 | 第88-89页 |