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Si基溅射Nb/Ga2O3氨化制备GaN纳米材料的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-10页
第一章 绪论第10-32页
 第一节 GAN 材料的基本性质及研究进展第11-18页
 第二节 低维GAN 材料的研究概况第18-27页
 第三节 NB 的基本性质以及应用第27-29页
 第四节 课题来源及选题依据第29-32页
第二章 实验设备和测试方法第32-40页
 第一节 实验设备第32-34页
 第二节 实验中所需要的主要材料和试剂第34-35页
 第三节 测试表征手段第35-40页
第三章 氨化时间对合成一维GAN 纳米材料的影响第40-52页
 第一节 一维GAN 纳米材料的制备第40-42页
 第二节 实验结果和讨论第42-50页
 第三节 本章小结第50-52页
第四章 氨化温度对合成一维GAN 纳米材料的影响第52-62页
 第一节 一维GAN 纳米材料的制备第52-53页
 第二节 实验结果和讨论第53-61页
 第三节小结第61-62页
第五章 一维GAN 纳米材料的生长机制初探第62-72页
 第一节一维GAN 纳米材料的生长过程第63-70页
 第二节 一维GAN 纳米材料生长过程的能量分析第70-72页
第六章 结论第72-76页
 第一节 本论文的主要研究内容及成果第72-73页
 第二节 对今后工作的建议第73-76页
参考文献第76-84页
论文作者在学期间发表的学术论文目录第84-88页
致谢第88-89页

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