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硅基钒应变层制备氮化镓及氧化镓一维纳米结构的研究

中文摘要第1-8页
Abstract第8-11页
第一章 绪论第11-33页
   ·一维纳米材料的研究进展第11-21页
     ·纳米结构概念第11-14页
     ·纳米材料的合成方法和机制第14-18页
     ·一维纳米材料的应用第18-19页
     ·国内外纳米材料研究进展第19-21页
   ·GaN低维材料及器件的研究概况第21-26页
     ·GaN的基本性质第21-22页
     ·GaN基材料的生长工艺第22-25页
     ·一维GaN纳米材料研究进展第25-26页
   ·一维Ga_2O_3纳米材料的研究概况第26-30页
     ·一维Ga_2O_3材料的生长工艺第27-29页
     ·一维Ga_2O_3材料的研究进展第29-30页
   ·课题来源及选题依据第30-33页
第二章 实验设备与测试方法第33-39页
   ·实验设备第33-35页
   ·实验中所需要的主要材料和试剂第35页
   ·样品的测试和表征第35-39页
第三章 在V中间层上合成一维GaN纳米结构第39-47页
   ·样品的制备第39页
   ·结果与分析第39-46页
   ·GaN纳米线的生长过程第46-47页
第四章 在V中间层上合成一维Ga_2O_3纳米结构第47-53页
   ·样品的制备与表征第47页
   ·结果与分析第47-51页
   ·Ga_2O_3纳米棒的生长过程第51-53页
第五章 结论第53-55页
   ·本文的主要研究结果第53-54页
   ·对今后工作的建议第54-55页
参考文献第55-61页
攻读硕士期间发表的论文统计第61-65页
致谢第65页

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