| 摘要 | 第1-5页 |
| 致谢 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| §1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物概述 | 第10-15页 |
| §1.2.1 Ⅲ族氮化物的研究历程 | 第10-12页 |
| §1.2.2 Ⅲ族氮化物的性质概述 | 第12-13页 |
| §1.2.3 Ⅲ族氮化物量子点的概述 | 第13-15页 |
| §1.3 InGaN合金和InN薄膜 | 第15-18页 |
| §1.3.1 InGaN合金 | 第15-17页 |
| §1.3.2 InN薄膜 | 第17-18页 |
| §1.4 阴极荧光系统介绍及其在Ⅲ族氮化物中的应用 | 第18-21页 |
| §1.4.1 阴极荧光系统(CL)介绍 | 第18-20页 |
| §1.4.2 阴极荧光系统(CL)在Ⅲ族氮化物研究中的作用 | 第20-21页 |
| §1.5 其他仪器的介绍 | 第21-23页 |
| §1.6 研究内容与论文结构 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 InGaN薄膜的阴极荧光分析 | 第27-51页 |
| §2.1 InGaN薄膜材料的应用 | 第27页 |
| §2.2 InGaN薄膜的生长 | 第27-29页 |
| §2.3 InGaN薄膜和缺陷的CL发光性质分析 | 第29-38页 |
| §2.3.1 InGaN薄膜CL光谱分析 | 第30-33页 |
| §2.3.2 InGaN薄膜大尺寸V坑发光性质分析 | 第33-36页 |
| §2.3.3 InGaN薄膜小型V坑发光性质分析 | 第36-38页 |
| §2.4 InGaN多量子阱的相分凝研究 | 第38-47页 |
| §2.4.1 InGaN薄膜材料中的量子点与相分凝 | 第39-41页 |
| §2.4.2 InGaN薄膜相分凝发光的研究 | 第41-45页 |
| §2.4.3 InGaN薄膜表面形貌与发光的研究 | 第45-47页 |
| §2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 InN薄膜的生长和阴极荧光性质的研究 | 第51-65页 |
| §3.1 InN薄膜材料 | 第51-52页 |
| §3.2 不同生长条件的InN薄膜研究 | 第52-60页 |
| §3.2.1 InN薄膜的生长 | 第52-54页 |
| §3.2.2 不同生长条件的InN薄膜的研究 | 第54-60页 |
| §3.3 InN薄膜阴极荧光研究 | 第60-62页 |
| §3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 结论 | 第65-66页 |
| 硕士期间论文和参加会议 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
