| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 ZnO的性质及其光电器件概述 | 第11-19页 |
| ·ZnO的结构特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第12-13页 |
| ·宽禁带 | 第12页 |
| ·透明导电性 | 第12-13页 |
| ·紫外受激发射 | 第13页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第13-14页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第14页 |
| ·磁控溅射 | 第14-15页 |
| ·ZnO基光电器件的应用 | 第15-19页 |
| ·紫外探测器 | 第15-16页 |
| ·发光器件 | 第16页 |
| ·太阳能电池 | 第16页 |
| ·场效应晶体管 | 第16-18页 |
| ·ZnO其他方面的应用 | 第18-19页 |
| 2 PLD法制备ZnO薄膜的工艺优化 | 第19-29页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第19-22页 |
| ·衬底选择和预处理 | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第20-22页 |
| ·薄膜生长 | 第22页 |
| ·ZnO薄膜的结构特性 | 第22-23页 |
| ·ZnO薄膜的电学特性 | 第23-25页 |
| ·ZnO薄膜的光致发光特性 | 第25-27页 |
| ·ZnO薄膜的透射谱 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 ZnO沟道层薄膜晶体管 | 第29-40页 |
| ·薄膜晶体管的结构及工作原理 | 第29-30页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的研究现状 | 第30-32页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的优势和现存问题 | 第32-33页 |
| ·ZnO-TFT技术性能优点 | 第32-33页 |
| ·ZnO-TFT目前存在的问题 | 第33页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的制作过程 | 第33-37页 |
| ·结构设计 | 第33-34页 |
| ·电子束蒸发生成SiO_2绝缘层 | 第34-36页 |
| ·绝缘层上生长ZnO薄膜 | 第36-37页 |
| ·源漏电极的制备 | 第37页 |
| ·氧化锌薄膜晶体管的电学性能 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 半导体量子点简介 | 第40-48页 |
| ·半导体量子点概念 | 第40-41页 |
| ·半导体量子点的基本效应 | 第41-45页 |
| ·量子尺寸效应 | 第41-42页 |
| ·介电受限效应 | 第42-43页 |
| ·量子隧穿效应 | 第43-44页 |
| ·库仑阻塞(Coulomb Blockade)效应 | 第44页 |
| ·光学非线性效应 | 第44-45页 |
| ·半导体量子点的发光原理和特性 | 第45-46页 |
| ·半导体量子点的应用前景 | 第46-48页 |
| 5 CdS_xSe_(1-x)量子点的特性分析 | 第48-55页 |
| ·CdS_xSe_(1-x)量子点的结构特性 | 第49-50页 |
| ·CdS_xSe_(1-x)量子点的光致发光特性 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |