| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 存储器技术的现状和新兴技术 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·传统硅基半导体存储器 | 第8-9页 |
| ·新型无机存储器件 | 第9-13页 |
| ·铁电随机存储器件(FeRAM) | 第10-11页 |
| ·磁阻随机存储器件(MRAM) | 第11-12页 |
| ·相变随机存储器件(PRAM) | 第12-13页 |
| ·电阻开关随机存储器件(RRAM) | 第13页 |
| ·新型有机存储器件 | 第13-16页 |
| ·一次写入,多次读出式存储器件(WORM) | 第14-15页 |
| ·电可擦写可读取存储器件 | 第15-16页 |
| ·研究思路和本文的工作 | 第16-18页 |
| 第二章 存储介质的制备工艺和器件工作机制 | 第18-25页 |
| ·概述传统制备工艺的分类 | 第18-19页 |
| ·RRAM器件的三种主要机制 | 第19-22页 |
| ·界面氧空位分布导致的电阻开关效应 | 第19-20页 |
| ·phase change memory机制 | 第20-21页 |
| ·filament formation—rupture机制 | 第21-22页 |
| ·所用到的导电模型 | 第22-25页 |
| ·trap—free SCLC模型 | 第23页 |
| ·trap—limited SCLC模型 | 第23-25页 |
| 第三章 实验方法 | 第25-30页 |
| ·实验方法概述 | 第25页 |
| ·实验材料 | 第25-27页 |
| ·实验必备材料 | 第25-26页 |
| ·实验用到无机盐和有机分子材料 | 第26-27页 |
| ·实验仪器与设备 | 第27页 |
| ·器件的制备工艺 | 第27-29页 |
| ·测试方法 | 第29-30页 |
| 第四章 基于CuSCN复合薄膜的电存储特性 | 第30-56页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·固固界面反应制备CuSCN复合薄膜的电存储特性 | 第30-45页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·实验结果和讨论 | 第31-38页 |
| ·器件的极性开关机制 | 第38-41页 |
| ·参比实验 | 第41-43页 |
| ·可靠性分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45页 |
| ·固液界面反应制备基于二硫氰前体的介质薄膜的电存储特性 | 第45-56页 |
| ·实验 | 第45-51页 |
| ·复合薄膜的表征和分析 | 第51-53页 |
| ·优化工艺参数的器件性能 | 第53-56页 |
| 第五章 基于Cu—DMcT配位聚合物薄膜的WORM器件特性 | 第56-69页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验 | 第56-57页 |
| ·有机分子材料 | 第56页 |
| ·介质层薄膜和器件的制备工艺 | 第56-57页 |
| ·实验结果和讨论 | 第57-69页 |
| ·溶剂系列器件性能 | 第57-59页 |
| ·浓度系列器件性能 | 第59-60页 |
| ·时间系列器件性能 | 第60-61页 |
| ·最优器件参数组合器件性能 | 第61-69页 |
| 第六章 结论和展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-81页 |
| 发表论文及专利 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
