非晶硅锗薄膜PECVD法制备与特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-12页 |
| ·光伏产业现状 | 第8-10页 |
| ·薄膜太阳电池产业现状与展望 | 第10-12页 |
| ·硅锗薄膜的研究现状及重要意义 | 第12-14页 |
| ·课题来源与实验设备简介 | 第14-15页 |
| ·课题来源 | 第14页 |
| ·实验设备简介 | 第14-15页 |
| 第二章 实验设备与工艺 | 第15-20页 |
| ·PECVD系统 | 第15-20页 |
| ·真空系统及辅助装置 | 第15-17页 |
| ·气路系统 | 第17-18页 |
| ·PECVD控制系统 | 第18-19页 |
| ·超净室 | 第19-20页 |
| 第三章 非晶硅锗薄膜RF-PECVD法制备 | 第20-28页 |
| ·PECVD原理与特点 | 第20-23页 |
| ·等离子体的基本概念与产生 | 第20-21页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第21-22页 |
| ·射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD) | 第22-23页 |
| ·薄膜形成过程及生长模式 | 第23-24页 |
| ·非晶硅锗薄膜的制备 | 第24-28页 |
| 第四章 薄膜研究的常用测试方法 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·薄膜厚度和沉积速率的测量 | 第29-32页 |
| ·光干涉法 | 第30-31页 |
| ·椭圆偏振法 | 第31-32页 |
| ·薄膜的表面形貌和结构 | 第32-34页 |
| ·薄膜的光学特性分析 | 第34-37页 |
| ·薄膜的光敏性分析 | 第37-39页 |
| 第五章 非晶硅锗薄膜的特性研究 | 第39-65页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·不同反应气体浓度条件下的非晶硅锗薄膜的特性研究 | 第40-49页 |
| ·工艺条件 | 第40-41页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第41-43页 |
| ·薄膜厚度与沉积速率 | 第43-45页 |
| ·光学特性 | 第45-48页 |
| ·光敏性 | 第48-49页 |
| ·不同温度条件下的非晶硅锗薄膜的特性研究 | 第49-55页 |
| ·工艺条件 | 第49-50页 |
| ·薄膜厚度与沉积速率 | 第50-52页 |
| ·光学特性 | 第52-53页 |
| ·光敏性 | 第53-55页 |
| ·不同辉光功率条件下的非晶硅锗薄膜的特性研究 | 第55-59页 |
| ·工艺条件 | 第55页 |
| ·薄膜厚度与沉积速率 | 第55-56页 |
| ·光学特性 | 第56-58页 |
| ·光敏性 | 第58-59页 |
| ·不同反应气体压强条件下的非晶硅锗薄膜的特性研究 | 第59-65页 |
| ·工艺条件 | 第59-60页 |
| ·薄膜厚度与沉积速率 | 第60-61页 |
| ·光学特性 | 第61-63页 |
| ·光敏性 | 第63-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 硕士期间参与的研究课题 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
