PI衬底卷绕磁控溅射/电沉积法制备Cu膜工艺及其性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·制备方法 | 第11-14页 |
| ·挠性覆铜板的特点 | 第14-15页 |
| ·研究意义 | 第15页 |
| ·国内外研究动态 | 第15-17页 |
| ·研究内容 | 第17-18页 |
| ·前景展望 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 实验设备及检测仪器 | 第21-27页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·实验材料和试剂 | 第21页 |
| ·测试仪器 | 第21-26页 |
| ·膜厚测试仪 | 第21-22页 |
| ·四探针测试仪 | 第22页 |
| ·X射线衍射仪 | 第22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22页 |
| ·原子力显微镜 | 第22页 |
| ·剥离强度测试装置 | 第22-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 非卷绕式磁控溅射法制备PI-Cu膜 | 第27-39页 |
| ·实验设备及材料 | 第27-29页 |
| ·工艺流程 | 第29页 |
| ·样品的测试与分析 | 第29-36页 |
| ·溅射电流对薄膜电阻率的影响 | 第29-30页 |
| ·工作压强对薄膜电阻率的影响 | 第30-32页 |
| ·靶基间距对薄膜电阻率的影响 | 第32-33页 |
| ·工作压强和溅射电流对薄膜晶面取向的影响 | 第33-34页 |
| ·工作压强和工作电流对薄膜表面形貌的影响 | 第34-36页 |
| ·工作小结 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 卷绕式磁控溅射法制备PI-Cu膜 | 第39-54页 |
| ·实验设备与实验材料 | 第39-41页 |
| ·工艺流程 | 第41-42页 |
| ·样品的测试与分析 | 第42-52页 |
| ·工作电流对薄膜电阻率的影响 | 第42-43页 |
| ·工作压强对薄膜电阻率的影响 | 第43页 |
| ·薄膜厚度对薄膜电阻率的影响 | 第43-44页 |
| ·不同过渡层对薄膜电阻率的影响 | 第44-45页 |
| ·不同过渡层对薄膜附着力的影响 | 第45-49页 |
| ·不同过渡层对薄膜晶面取向的影响 | 第49页 |
| ·工作压强对薄膜晶面取向的影响 | 第49-51页 |
| ·Cu薄膜样品表面形貌 | 第51-52页 |
| ·工作小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第五章 磁控溅射-电沉积法制备PI-Cu膜 | 第54-64页 |
| ·实验设备及材料 | 第54-55页 |
| ·工艺流程 | 第55-56页 |
| ·样品制备 | 第56-57页 |
| ·样品的测试与分析 | 第57-61页 |
| ·薄膜厚度对薄膜的方块电阻与电阻率的影响 | 第57-58页 |
| ·薄膜厚度对薄膜晶面择优取向的影响 | 第58-59页 |
| ·电流密度对薄膜晶面择优取向的影响 | 第59-60页 |
| ·电流密度对薄膜表面形貌的影响 | 第60-61页 |
| ·工作小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| ·非卷绕式磁控溅射法制备PI-Cu膜 | 第64页 |
| ·卷绕式磁控溅射法制备PI-Cu膜 | 第64-65页 |
| ·磁控溅射-电沉积法制备PI-Cu膜 | 第65页 |
| ·已做探索与有待进行的工作 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
