| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 引言 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-40页 |
| ·研究背景 | 第14-15页 |
| ·GaN与AlN材料的性能与应用前景 | 第15-19页 |
| ·GaN与AlN薄膜的制备方法 | 第19-22页 |
| ·制备GaN与AlN薄膜的衬底材料 | 第22-24页 |
| ·制备与应用GaN和AlN材料所面临的问题 | 第24-26页 |
| ·GaN与AlN薄膜的缓冲层 | 第26-28页 |
| ·GaN与AlN薄膜的掺杂 | 第28-33页 |
| ·GaN与AlN薄膜的性质与表征 | 第33-38页 |
| ·研究课题的选取 | 第38-40页 |
| 第二章 氮化物薄膜的制备与检测方法 | 第40-51页 |
| ·磁控溅射简介 | 第40-42页 |
| ·实验设备简介 | 第42-44页 |
| ·薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·GaN薄膜的检测方法 | 第45-51页 |
| 第三章 Si衬底上沉积的GaN薄膜 | 第51-64页 |
| ·GaN薄膜的结构分析 | 第51-55页 |
| ·GaN薄膜的表面及截面形貌 | 第55-59页 |
| ·沉积气压对GaN薄膜的成分影响 | 第59-61页 |
| ·沉积气压对GaN薄膜沉积速率的影响 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 石英玻璃衬底上沉积的GaN薄膜 | 第64-77页 |
| ·GaN薄膜的结构分析 | 第64-67页 |
| ·GaN薄膜的表面形貌 | 第67-68页 |
| ·GaN薄膜的成分分析 | 第68-69页 |
| ·GaN薄膜的X射线光电子能谱(XPS) | 第69-71页 |
| ·GaN薄膜的拉曼光谱 | 第71-72页 |
| ·GaN薄膜的光致发光 | 第72-74页 |
| ·GaN薄膜的光吸收 | 第74-75页 |
| ·GaN薄膜的TEM和HRTEM形貌 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 沉积在Si衬底上的AlN薄膜 | 第77-86页 |
| ·AlN薄膜的研究背景 | 第77页 |
| ·阳极层离子源辅助的中频孪生靶磁控溅射系统 | 第77-79页 |
| ·沉积气体中的Ar含量对AlN薄膜的结构性质的影响 | 第79-82页 |
| ·沉积气体中的Ar含量对AlN薄膜的表面形貌的影响 | 第82-83页 |
| ·有与没有阳极层离子源辅助沉积的AlN薄膜的AFM与SEM表面形貌比较 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 全文总结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-96页 |
| 攻读博士学位期间发表文章/申请专利 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
