| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第8-12页 |
| 1.2.1 力学与热学性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第10-11页 |
| 1.2.3 电学性质 | 第11-12页 |
| 1.3 石墨烯薄膜的制备方法 | 第12-16页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第13页 |
| 1.3.2 化学气相沉积(CVD)法 | 第13-16页 |
| 1.3.3 碳化硅(SiC)外延生长法 | 第16页 |
| 1.4 石墨烯图案化的研究现状 | 第16-22页 |
| 1.4.1 利用光刻胶进行光学或电子束曝光(EBL)刻蚀 | 第16-17页 |
| 1.4.2 聚焦离子束(FIB) | 第17-19页 |
| 1.4.3 激光直写技术 | 第19页 |
| 1.4.4 TiO_2 光催化 | 第19-20页 |
| 1.4.5 利用硬质掩模版进行反应离子束刻蚀(RIE) | 第20-21页 |
| 1.4.6 紫外光氧化刻蚀 | 第21-22页 |
| 1.5 石墨烯薄膜及其微纳图形的应用 | 第22-26页 |
| 1.6 石墨烯迁移率的计算 | 第26-27页 |
| 1.7 课题的提出及主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 利用氙灯准分子紫外光氧化刻蚀石墨烯薄膜的研究 | 第29-38页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 紫外光氧化石墨烯原理 | 第29-30页 |
| 2.3 实验部分 | 第30-32页 |
| 2.3.1 样品制备 | 第30-31页 |
| 2.3.2 实验装置 | 第31-32页 |
| 2.4 结果和讨论 | 第32-36页 |
| 2.4.1 工作距离 | 第32页 |
| 2.4.2 刻蚀时间 | 第32-33页 |
| 2.4.3 反应氧含量 | 第33-35页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第35-36页 |
| 2.5 小结 | 第36-38页 |
| 第三章 利用磁场辅助紫外光氧化开展石墨烯薄膜图案化研究 | 第38-49页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 实验理论 | 第38-40页 |
| 3.2.1 紫外光氧化反应中腔室内不同气体的磁化率及受力 | 第38-40页 |
| 3.3 实验准备 | 第40-42页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第40页 |
| 3.3.2 磁场和掩模版 | 第40-42页 |
| 3.3.3 实验装置 | 第42页 |
| 3.4 实验部分 | 第42-48页 |
| 3.4.1 无磁场辅助的紫外光氧化 | 第42-44页 |
| 3.4.2 竖直磁场辅助提高石墨烯图案质量 | 第44-45页 |
| 3.4.3 使用铁磁性掩模版开展石墨烯图案化 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 利用磁场辅助紫外光氧化制备石墨烯场效应晶体管(FET)器件阵列 | 第49-56页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 实验准备 | 第49-51页 |
| 4.2.1 石墨烯FET阵列制备方法 | 第49-50页 |
| 4.2.2 电学测试平台 | 第50-51页 |
| 4.3 器件表征与测试 | 第51-55页 |
| 4.3.1 竖直磁场辅助紫外光氧化制备石墨烯FET阵列 | 第51-53页 |
| 4.3.2 无磁场辅助紫外光氧化制备石墨烯FET阵列 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-59页 |
| 5.1 主要工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 未来研究工作展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 附录1 电学测试平台 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文和成果 | 第74-76页 |
