等电子体系调控V族二维材料的电子特性
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第16-40页 |
| 1.1 二维材料 | 第16页 |
| 1.2 典型的二维材料 | 第16-29页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第16-19页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫化物 | 第19-23页 |
| 1.2.3 黑磷烯 | 第23-29页 |
| 1.3 二维材料的调控 | 第29-39页 |
| 1.3.1 本征调控 | 第29-36页 |
| 1.3.2 外部扰动 | 第36-39页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第39-40页 |
| 第二章 计算原理及方法 | 第40-50页 |
| 2.1 第一性原理计算 | 第40-44页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第40页 |
| 2.1.2 哈特利-福克近似 | 第40-41页 |
| 2.1.3 霍亨伯格-孔恩定理 | 第41-42页 |
| 2.1.4 孔恩-沈吕久方程 | 第42-43页 |
| 2.1.5 密度泛函理论的应用 | 第43-44页 |
| 2.1.6 赝势 | 第44页 |
| 2.2 第一性原理计算软件简介 | 第44-50页 |
| 2.2.1 PWscf | 第44-45页 |
| 2.2.2 VASP | 第45-47页 |
| 2.2.3 Phonopy | 第47页 |
| 2.2.4 G-SSNEB | 第47-50页 |
| 第三章 单层锑烯结构相调控的增强掺杂效应 | 第50-60页 |
| 3.1 背景介绍 | 第50页 |
| 3.2 方法 | 第50-51页 |
| 3.3 结果分析 | 第51-59页 |
| 3.3.1 掺杂导致锑烯基态转变及转变机制 | 第51-55页 |
| 3.3.2 分子吸附以及基底对锑烯掺杂 | 第55-59页 |
| 3.4 结论 | 第59-60页 |
| 第四章 二维碘化铟的稳定性和电子性质 | 第60-72页 |
| 4.1 背景介绍 | 第60-61页 |
| 4.2 方法 | 第61-63页 |
| 4.3 结果分析 | 第63-70页 |
| 4.3.1 碘化铟的稳定性研究 | 第63-67页 |
| 4.3.2 碘化铟的能带调控 | 第67-70页 |
| 4.4 结论 | 第70-72页 |
| 第五章 等电子体化合物调控二维锑烯电学性能 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72-73页 |
| 5.2 计算方法 | 第73页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第73-80页 |
| 5.3.1 结构和稳定性 | 第73-77页 |
| 5.3.2 电子特性 | 第77-80页 |
| 5.4 结论 | 第80-82页 |
| 第六章 全文总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-100页 |
| 附录A PWscf计算程序 | 第100-110页 |
| 附录B VASP计算程序 | 第110-118页 |
| 致谢 | 第118-122页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第122页 |
