2.4GHz SOI CMOS窄带低噪声放大器设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第11-12页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第11页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第11-12页 |
| 1.4 论文组织 | 第12-14页 |
| 第2章 低噪声放大器原理 | 第14-26页 |
| 2.1 低噪声放大器的性能参数 | 第14-22页 |
| 2.2 低噪声放大器的基本结构 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 窄带低噪声放大器的设计及前仿真 | 第26-50页 |
| 3.1 SOI工艺介绍 | 第26-27页 |
| 3.2 窄带低噪声放大器的设计 | 第27-40页 |
| 3.2.1 电路基本结构确定 | 第27-28页 |
| 3.2.2 输入匹配 | 第28-32页 |
| 3.2.3 等效跨导技术应用 | 第32-36页 |
| 3.2.4 缓冲器设计 | 第36-39页 |
| 3.2.5 ESD保护电路设计 | 第39-40页 |
| 3.2.6 电路总体方案 | 第40页 |
| 3.3 窄带低噪声放大器的前仿真结果 | 第40-49页 |
| 3.3.1 直流工作点 | 第41页 |
| 3.3.2 稳定性前仿真结果 | 第41-42页 |
| 3.3.3 S参数与电压增益前仿真结果 | 第42-44页 |
| 3.3.4 噪声系数前仿真结果 | 第44-45页 |
| 3.3.5 1dB压缩点的前仿真结果 | 第45-46页 |
| 3.3.6 窄带低噪声放大器的前仿真结果总结 | 第46-47页 |
| 3.3.7 各工艺角前仿真结果汇总 | 第47-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 窄带低噪声放大器的版图设计及后仿真 | 第50-64页 |
| 4.1 版图设计 | 第50-53页 |
| 4.1.1 寄生参数 | 第50-51页 |
| 4.1.2 版图的对称性 | 第51页 |
| 4.1.3 天线效应 | 第51-52页 |
| 4.1.4 闩锁效应 | 第52-53页 |
| 4.1.5 线电流密度 | 第53页 |
| 4.2 窄带低噪声放大器的版图设计 | 第53-55页 |
| 4.3 窄带低噪声放大器的后仿真 | 第55-62页 |
| 4.3.1 直流工作点 | 第55页 |
| 4.3.2 稳定性后仿真结果 | 第55-56页 |
| 4.3.3 S参数与电压增益后仿真结果 | 第56-57页 |
| 4.3.4 噪声系数后仿真结果 | 第57-58页 |
| 4.3.5 1dB压缩点与三阶截点的后仿真结果 | 第58-59页 |
| 4.3.6 窄带低噪声放大器的后仿真总结 | 第59-60页 |
| 4.3.7 各种工艺角后仿真结果汇总 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 窄带低噪声放大器的芯片测试方案 | 第64-70页 |
| 5.1 窄带低噪声放大器的引脚说明 | 第64-65页 |
| 5.2 测试所需仪器 | 第65-66页 |
| 5.3 窄带低噪声放大器的测试方案 | 第66-69页 |
| 5.3.1 线缆损耗测试 | 第66页 |
| 5.3.2 直流工作点测试 | 第66-67页 |
| 5.3.3 S参数测试 | 第67页 |
| 5.3.4 噪声系数测试 | 第67-68页 |
| 5.3.5 输入1dB压缩点测试 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第6章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
