W波段硅基功率放大器研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9页 |
| 1.2 研究现状及发展趋势 | 第9-10页 |
| 1.3 论文研究目标和内容结构安排 | 第10-13页 |
| 第二章 功率放大器设计基础 | 第13-23页 |
| 2.1 功率放大器的基本设计原理 | 第13-17页 |
| 2.1.1 功率放大器基本原理 | 第13-15页 |
| 2.1.2 A类和AB类功率匹配分析 | 第15-17页 |
| 2.2 功放基本结构分析 | 第17-20页 |
| 2.2.1 差分结构 | 第17-18页 |
| 2.2.2 共射共基结构 | 第18-20页 |
| 2.3 功放的基本性能参数 | 第20-22页 |
| 2.3.1 输出功率 | 第20-21页 |
| 2.3.2 增益 | 第21页 |
| 2.3.3 功放效率 | 第21页 |
| 2.3.4 线性度 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 毫米波器件模型 | 第23-35页 |
| 3.1 SiGe BiCMOS技术的工艺特点 | 第23-25页 |
| 3.2 片上无源器件建模 | 第25-34页 |
| 3.2.1 无源结构电磁仿真等效 | 第26-27页 |
| 3.2.2 片上电感 | 第27-29页 |
| 3.2.3 片上电容 | 第29-32页 |
| 3.2.4 传输线模型 | 第32-33页 |
| 3.2.5 信号焊盘 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 W波段功率放大器分析设计 | 第35-49页 |
| 4.1 HBT器件性能分析 | 第35-37页 |
| 4.1.1 HBT晶体管基本性能参数 | 第35页 |
| 4.1.2 HBT晶体管的电磁仿真模型 | 第35-37页 |
| 4.1.3 共射和共射共基结构仿真 | 第37页 |
| 4.2 W波段功放设计 | 第37-44页 |
| 4.2.1 巴伦设计 | 第38-40页 |
| 4.2.2 功放的负载牵引设计 | 第40-41页 |
| 4.2.3 功放的稳定性考虑 | 第41-42页 |
| 4.2.4 功放的无源网络 | 第42-43页 |
| 4.2.5 功放的整体仿真设计 | 第43-44页 |
| 4.3 芯片加工测试 | 第44-48页 |
| 4.3.1 功放小信号测试 | 第45-46页 |
| 4.3.2 功放的大信号测试 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 基于变压器的毫米波功率放大器设计 | 第49-59页 |
| 5.1 变压器基本原理分析 | 第49-53页 |
| 5.2 基于变压器的功放设计 | 第53-58页 |
| 5.2.1 功放设计分析 | 第53-56页 |
| 5.2.2 仿真结果分析 | 第56-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者简介 | 第67页 |
