| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 Ga_2O_3功率器件的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3 Ga_2O_3功率器件存在的问题及其解决方案 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 Ga_2O_3基MISFET器件制备的关键工艺 | 第23-45页 |
| 2.1 器件工艺流程 | 第23-28页 |
| 2.1.1 工艺流程 | 第23-26页 |
| 2.1.2 版图设计 | 第26-27页 |
| 2.1.3 本文涉及的关键工艺 | 第27-28页 |
| 2.2 MOS结构电容特性分析 | 第28-37页 |
| 2.2.1 MOS电容理想特性及非理想电荷 | 第28-32页 |
| 2.2.2 MOS电容界面态密度及漏电输运机制 | 第32-37页 |
| 2.3 常见的薄膜生长方法 | 第37-40页 |
| 2.3.1 物理沉积法(PVD&PLD&MBE) | 第37-38页 |
| 2.3.2 化学淀积法(CVD&ALD) | 第38-40页 |
| 2.4 本文涉及的材料表征方法 | 第40-43页 |
| 2.4.1 光学表征(SE和Raman) | 第40-41页 |
| 2.4.2 表面形貌表征(AFM) | 第41-42页 |
| 2.4.3 结构及组分表征(XRD和XPS) | 第42-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 Ga_2O_3表征及栅介质能带结构分析 | 第45-59页 |
| 3.1 Ga_2O_3材料特性分析 | 第45-47页 |
| 3.2 高k栅介质材料特性表征 | 第47-50页 |
| 3.2.1 椭偏仪测试分析 | 第47-48页 |
| 3.2.2 衬底掺杂浓度分析 | 第48-49页 |
| 3.2.3 AFM测试结果 | 第49-50页 |
| 3.3 高k栅介质/Ga_2O_3的能带结构研究 | 第50-57页 |
| 3.3.1 能带带阶的计算方法及实验组设置 | 第50-52页 |
| 3.3.2 HfO_2/Ga_2O_3界面的能带带偏分析 | 第52-54页 |
| 3.3.3 Al_2O_3/Ga_2O_3界面及(HfO_2)_x(Al_2O_3)_(1-x)/Ga_2O_3能带分析 | 第54-56页 |
| 3.3.4 (HfO_2)_x(Al_2O_3)_(1-x)/Ga_2O_3界面的化学键成键分析 | 第56-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 Ga_2O_3基MOS电容制备及电学特性分析 | 第59-73页 |
| 4.1 Ga_2O_3基MOS电容制备 | 第59-60页 |
| 4.2 Ga_2O_3基MOS电容C-V特性测试分析 | 第60-63页 |
| 4.2.1 不同高k/Ga_2O_3电容的C-V曲线及提取参数分析 | 第60-62页 |
| 4.2.2 不同高k/Ga_2O_3电容的界面特性分析 | 第62-63页 |
| 4.3 Ga_2O_3MOS电容的I-V测试分析 | 第63-70页 |
| 4.3.1 Al_2O_3/Ga_2O_3电容的I-V测试及漏电机制分析 | 第63-65页 |
| 4.3.2 Hf基高k/Ga_2O_3电容的I-V测试及漏电机制分析 | 第65-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-87页 |
