| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 变量注释表 | 第14-15页 |
| 1 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 半导体器件发展趋势 | 第15页 |
| 1.2 MOS-HEMT器件研究 | 第15-17页 |
| 1.3 理论原理 | 第17-20页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第20-21页 |
| 2 体材料的电子性质 | 第21-31页 |
| 2.1 砷化镓体材料的电子性质 | 第21-23页 |
| 2.2 钛酸钡(BTO)体材料的电子性质 | 第23-26页 |
| 2.3 铝酸镧(LAO)体材料的电子性质 | 第26-28页 |
| 2.4 CeO_2体材料的电子性质 | 第28-31页 |
| 3 半导体GaAs/CeO_2栅介质异质结的稳定性和能带偏移 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 方法 | 第31-33页 |
| 3.3 结果讨论 | 第33-37页 |
| 3.4 总结 | 第37-38页 |
| 4 半导体GaAs/BaTiO_3栅介质异质结的稳定性和能带偏移 | 第38-45页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 方法 | 第39-40页 |
| 4.3 结果讨论 | 第40-44页 |
| 4.4 总结 | 第44-45页 |
| 5 半导体GaAs/LaAlO_3栅介质异质结的稳定性和能带偏移 | 第45-50页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 方法 | 第45-46页 |
| 5.3 结果讨论 | 第46-49页 |
| 5.4 总结 | 第49-50页 |
| 6 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 作者简历 | 第59-61页 |
| 学位论文数据集 | 第61页 |
