| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-37页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 相关技术的研究进展 | 第17-33页 |
| 1.2.1 凸面光栅的制作方法及研究现状 | 第17-24页 |
| 1.2.2 成像光谱仪国内外研究进展 | 第24-30页 |
| 1.2.3 全息离子束刻蚀光栅概述 | 第30-33页 |
| 1.3 论文的主要研究内容和结构安排 | 第33-37页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第33-34页 |
| 1.3.2 结构安排 | 第34-37页 |
| 第2章 曲面光栅离子束刻蚀系统 | 第37-51页 |
| 2.1 引言 | 第37页 |
| 2.2 曲面光栅刻蚀机工作原理和系统组成 | 第37-45页 |
| 2.2.1 离子源系统 | 第38-40页 |
| 2.2.2 工作台及其传动系统 | 第40-41页 |
| 2.2.3 真空室及抽气系统 | 第41-43页 |
| 2.2.4 离子束流探测系统 | 第43-44页 |
| 2.2.5 控制及辅助系统 | 第44-45页 |
| 2.3 四栅网射频离子源均匀性的改善 | 第45-50页 |
| 2.3.1 调节离子源工作参数来改善均匀性 | 第46-49页 |
| 2.3.2 可调束阑改善离子束均匀性 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第3章 曲面刻蚀机三维工作台的轨迹拟合 | 第51-67页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 曲面刻蚀机三维工作台原理 | 第51-57页 |
| 3.2.1 刻蚀平面光栅工作台运动轨迹及初始位置计算 | 第53-54页 |
| 3.2.2 刻蚀凸面光栅工作台运动轨迹理论计算 | 第54-56页 |
| 3.2.3 刻蚀凹面光栅工作台运动轨迹理论计算 | 第56-57页 |
| 3.3 三维运动工作台轨迹拟合算法 | 第57-63页 |
| 3.3.1 轨迹拟合初始条件规定 | 第57-59页 |
| 3.3.2 直线轨迹拟合 | 第59页 |
| 3.3.3 圆弧轨迹拟合 | 第59-63页 |
| 3.4 实验验证与误差分析 | 第63-66页 |
| 3.4.1 平面光栅运动轨迹 | 第63-64页 |
| 3.4.2 凸面光栅运动轨迹 | 第64-66页 |
| 3.4.3 三维工作台误差来源分析 | 第66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 凸面闪耀光栅摆动刻蚀制作工艺 | 第67-95页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 平动离子束刻蚀凸面光栅的局限性 | 第67-77页 |
| 4.2.1 子午方向闪耀角一致性对衍射效率的影响 | 第68-73页 |
| 4.2.2 弧矢方向闪耀角一致性对衍射效率的影响 | 第73-77页 |
| 4.3 摆动刻蚀几何模型 | 第77-82页 |
| 4.4 凸面光栅的制作工艺 | 第82-85页 |
| 4.5 实验结果和分析 | 第85-92页 |
| 4.5.1 束缝宽度对槽形的影响 | 第85-88页 |
| 4.5.2 摆动速度对槽形的影响 | 第88-90页 |
| 4.5.3 摆动刻蚀的闪耀角一致性 | 第90-91页 |
| 4.5.4 优化参数实验结果 | 第91-92页 |
| 4.6 本章小结 | 第92-95页 |
| 第5章 碳化硅基底硅改性层特性的研究 | 第95-111页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 硅改性层和碳化硅光栅的制备和测试 | 第96-99页 |
| 5.2.1 硅改性层的制备和光栅结构的制作 | 第96-98页 |
| 5.2.2 测量实验 | 第98-99页 |
| 5.3 实验结果和分析 | 第99-108页 |
| 5.3.1 硅改性层去除深度对SiC基底和SiC光栅表面质量的影响 | 第99-105页 |
| 5.3.2 硅改性层去除深度对SiC反射镜和SiC光栅的影响对比 | 第105-108页 |
| 5.4 本章小结 | 第108-111页 |
| 第6章 总结与展望 | 第111-115页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第111-112页 |
| 6.2 创新点 | 第112-113页 |
| 6.3 展望 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第129页 |
