| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 静电理论 | 第12页 |
| 1.2 静电放电对集成电路的危害 | 第12-13页 |
| 1.3 静电放电对高压集成电路的危害 | 第13页 |
| 1.4 高压工艺ESD防护研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 TCAD仿真 | 第15页 |
| 1.6 本文的章节安排 | 第15-17页 |
| 2 高压集成电路ESD防护研究目标 | 第17-31页 |
| 2.1 ESD放电模式研究 | 第17-24页 |
| 2.1.1 人体模型(HBM) | 第17-19页 |
| 2.1.2 机器模型(MM) | 第19-21页 |
| 2.1.3 带电器件模型(CDM) | 第21-22页 |
| 2.1.4 ESD测试方法 | 第22-24页 |
| 2.2 传输线脉冲测试(TransmissionLinePulse,TLP) | 第24-25页 |
| 2.3 ESD防护的设计方案和失效机制研究 | 第25-27页 |
| 2.3.1 ESD防护设计方案 | 第25-26页 |
| 2.3.2 ESD失效机制 | 第26-27页 |
| 2.4 ESD设计窗口 | 第27-28页 |
| 2.5 ESD防护电路特性研究 | 第28-30页 |
| 2.6 本文的研究对象及研究目标 | 第30页 |
| 2.7 小结 | 第30-31页 |
| 3 高压ESD器件选取研究 | 第31-45页 |
| 3.1 二极管 | 第31-35页 |
| 3.1.1 二极管结构及TLP测试 | 第31-32页 |
| 3.1.2 二极管方程 | 第32-35页 |
| 3.2 GGNMOS | 第35-40页 |
| 3.2.1 三极管的特性方程 | 第36-37页 |
| 3.2.2 GGNMOS的工作原理及TLP测试 | 第37-40页 |
| 3.3 SCR | 第40-42页 |
| 3.3.1 SCR的工作原理及TLP测试 | 第40-42页 |
| 3.4 本文对研究器件的选取 | 第42-44页 |
| 3.4.1 二极管的高压ESD应用研究 | 第42-43页 |
| 3.4.2 GGNMOS的高压ESD应用研究 | 第43页 |
| 3.4.3 SCR的高压ESD应用研究 | 第43-44页 |
| 3.5 本文的优化思路 | 第44页 |
| 3.5.1 维持电压优化思路 | 第44页 |
| 3.5.2 开启电压优化思路 | 第44页 |
| 3.6 小结 | 第44-45页 |
| 4 基于SCR的新颖结构设计 | 第45-63页 |
| 4.1 SCR用于高压ESD防护所存在的问题 | 第45页 |
| 4.2 闩锁免疫思路 | 第45页 |
| 4.3 新型SCR改进一 | 第45-57页 |
| 4.3.1 器件结构与工作原理 | 第46-47页 |
| 4.3.2 器件ESD性能测试 | 第47-48页 |
| 4.3.3 新型器件原理分析 | 第48-54页 |
| 4.3.4 关键尺寸影响与分析 | 第54-56页 |
| 4.3.5 鲁棒性测试 | 第56-57页 |
| 4.4 新型SCR改进二 | 第57-62页 |
| 4.4.1 新型器件结构 | 第57-59页 |
| 4.4.2 I-V特性及工作原理 | 第59页 |
| 4.4.3 性能优化分析 | 第59-62页 |
| 4.5 小结 | 第62-63页 |
| 5 基于LDMOS的新颖结构设计 | 第63-77页 |
| 5.1 LDMOS结构 | 第63-64页 |
| 5.2 nLDMOS高开启电压的原理研究及TLP测试 | 第64-68页 |
| 5.3 Kirk效应的研究 | 第68-69页 |
| 5.3.1 维持电压的影响 | 第68-69页 |
| 5.3.2 鲁棒性的影响 | 第69页 |
| 5.4 NPN-LDMOS的改进 | 第69-76页 |
| 5.4.1 NPN-LDMOS原理研究 | 第69-72页 |
| 5.4.2 NPN-LDMOS改进一 | 第72-74页 |
| 5.4.3 NPN-LDMOS改进二 | 第74-76页 |
| 5.5 小结 | 第76-77页 |
| 6 结论与展望 | 第77-78页 |
| 6.1 全文总结 | 第77页 |
| 6.2 不足与展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |