| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·研究背景及其意义 | 第9-18页 |
| ·论文内容 | 第18-20页 |
| 第二章 基础理论 | 第20-36页 |
| ·辐射源的辐射原理 | 第20-24页 |
| ·热激发 | 第20-22页 |
| ·电调制 | 第22-24页 |
| ·表面等离子体与光子晶体 | 第24-31页 |
| ·表面等离子体的色散方程 | 第25-27页 |
| ·两种激发表面等离子体的方式 | 第27-29页 |
| ·表面等离子体结构理论研究方法时域有限差分法(FDTD) | 第29-31页 |
| ·金属/电介质界面中的表面等离子体共振效应 | 第31-36页 |
| ·SPP的定义 | 第32-34页 |
| ·SPP被激发 | 第34-36页 |
| 第三章 MEMS红外辐射源制作关键工艺——硅的KOH/IPA湿法腐蚀研究 | 第36-51页 |
| ·硅的湿法腐蚀 | 第36-40页 |
| ·各向同性腐蚀原理 | 第37-38页 |
| ·各向异性腐蚀技术 | 第38-40页 |
| ·硅的KOH/IPA湿法腐蚀实验仪器和实验内容 | 第40-42页 |
| ·湿法腐蚀实验仪器 | 第40-41页 |
| ·实验内容 | 第41-42页 |
| ·削角比、腐蚀晶向和腐蚀速率测量 | 第42-43页 |
| ·实验样片结果表征与分析 | 第43-49页 |
| ·恒温变浓度实验结果与分析 | 第43-47页 |
| ·恒浓度变温实验结果与分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 新型MEMS表面等离子体共振红外辐射源的设计制作及其性能表征 | 第51-70页 |
| ·器件的结构设计与主要参数定义 | 第51-52页 |
| ·金属和电介质材料选择 | 第52-53页 |
| ·工艺制作流程 | 第53-56页 |
| ·表面等离子体共振结构(SPR)的性能表征与数值模拟 | 第56-69页 |
| ·辐射源电学特性测试与分析 | 第57-59页 |
| ·辐射源光学特性测试与分析 | 第59-62页 |
| 晶格常数与SPR共振峰的关系 | 第61页 |
| 红外反射谱与圆孔排列形状的关系 | 第61-62页 |
| ·辐射源热辐射特性与分析 | 第62-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 金属/电介质/金属MDM结构的透射特性研究 | 第70-81页 |
| ·金属/电介质/金属三明治结构(M/D/M) | 第70-73页 |
| ·金属/电介质薄膜材料的选择 | 第70-72页 |
| ·金属/电介质薄膜厚度的设计 | 第72-73页 |
| ·M/D/M结构的制作 | 第73-76页 |
| ·器件的结构设计与主要参数定义 | 第74-75页 |
| ·工艺制作流程 | 第75-76页 |
| ·M/D/M透射光谱的测量与分析 | 第76-80页 |
| ·半波宽(FWHM,full-width half-maximum) | 第76-77页 |
| ·透射峰值与介质厚度的关系 | 第77-79页 |
| ·SPP共振峰位置与介质层厚度的关系 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 全文总结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
