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面向三维集成的TSV制备与铜纳米结构低温键合技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-28页
    1.1 课题来源和意义第9-11页
    1.2 TSV技术第11-18页
    1.3 低温键合技术第18-26页
    1.4 本文主要研究工作第26-28页
2 TSV制备工艺研究第28-49页
    2.1 TSV刻蚀研究第28-35页
    2.2 TSV镀铜填充研究第35-47页
    2.3 本章小结第47-49页
3 铜纳米结构低温键合技术研究第49-89页
    3.1 铜纳米棒低温键合技术研究第49-67页
    3.2 铜纳米线低温键合技术研究第67-88页
    3.3 本章小结第88-89页
4 TSV和微凸点片间互连技术研究第89-106页
    4.1 铜纳米棒低温Cu/Sn微凸点键合第89-98页
    4.2 TSV和微凸点片间互连技术研究第98-105页
    4.3 本章小结第105-106页
5 总结与展望第106-109页
    5.1 全文总结第106-107页
    5.2 工作展望第107-109页
致谢第109-111页
参考文献第111-120页
附录1: 攻读博士学位期间发表的论文目录第120-121页
附录2: 攻读博士学位期间申请的专利目录第121页

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