| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 主流高压硅功率器件技术概述 | 第13-14页 |
| 1.2 本论文主要工作及创新点 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 高介电常数材料在横向硅基功率器件上的研究 | 第18-40页 |
| 2.1 传统的 PN 结峰值电场抑制技术 | 第18-23页 |
| 2.1.1 RESURF 技术 | 第18-20页 |
| 2.1.2 场板技术 | 第20-22页 |
| 2.1.3 其它电场优化技术 | 第22-23页 |
| 2.2 高 K 材料在功率器件中的应用及前人理论的不足 | 第23-26页 |
| 2.3 高 K 场板的边缘峰值电场压制效应 | 第26-31页 |
| 2.3.1 电容机理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 电荷机理 | 第27-31页 |
| 2.4 高 K 材料对横向器件其他性能的影响 | 第31-33页 |
| 2.4.1 高 K 介质对器件阈值电压的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.2 高 K 介质对 RESURF 条件的影响 | 第32页 |
| 2.4.3 高 K 介质对栅极电容的影响 | 第32-33页 |
| 2.5 高 K LDMOS 特性的仿真研究 | 第33-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 适用于功率器件应用的高 K 材料及相关工艺的研究 | 第40-49页 |
| 3.1 高 K 材料的选择 | 第40-42页 |
| 3.2 PZT 的生长、退火、刻蚀特性研究 | 第42-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 高 K 介质 LDMOS 的实验分析研究 | 第49-63页 |
| 4.1 高 K-BCD 兼容工艺开发 | 第49-58页 |
| 4.2 PZT/SIO_2复合介质 LDMOS 器件的测试研究 | 第58-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 高 K 材料在硅基纵向器件上的应用 | 第63-76页 |
| 5.1 高 K 电场调制效应在纵向器件上的充分发挥 | 第63-68页 |
| 5.2 高 K 的载流子超强积累效应 | 第68-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 高 K 超级功率器件 | 第76-97页 |
| 6.1 电荷平衡效应与电场调制效应的结合 | 第76-80页 |
| 6.2 超强积累效应的充分发挥 | 第80-87页 |
| 6.3 动态功耗及速度问题 | 第87-89页 |
| 6.4 使用高 K 槽电容的电荷泵驱动器 | 第89-96页 |
| 6.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 第七章 全文总结 | 第97-100页 |
| 7.1 结论 | 第97-98页 |
| 7.2 下一步工作及展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-110页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第110-113页 |
