纳米尺度多栅场效应管物理特性及模型研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| 1.1 场效应晶体管的发展 | 第7-9页 |
| 1.1.1 等比例缩小 | 第7-8页 |
| 1.1.2 短沟道效应和量子效应 | 第8-9页 |
| 1.2 新型器件结构和工艺材料 | 第9-11页 |
| 1.2.1 新型器件结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 新工艺材料 | 第10-11页 |
| 1.3 论文的主要工作和创新 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的组织安排 | 第12-13页 |
| 第二章 肖特基势垒源漏器件的原理和结构 | 第13-20页 |
| 2.1 肖特基接触 | 第13-16页 |
| 2.1.1 金属半导体接触能带图 | 第13-14页 |
| 2.1.2 肖特基势垒降低效应 | 第14-15页 |
| 2.1.3 热电流及隧穿电流 | 第15-16页 |
| 2.2 肖特基势垒源漏的优势及改进 | 第16-19页 |
| 2.2.1 肖特基势垒源漏器件的优势 | 第16-17页 |
| 2.2.2 肖特基源漏结构的缺点和改进 | 第17-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 双栅肖特基势垒源漏器件研究 | 第20-29页 |
| 3.1 电势解析模型 | 第20-22页 |
| 3.2 阈值电压模型 | 第22-24页 |
| 3.3 分析与讨论 | 第24-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 围栅肖特基势垒源漏器件研究 | 第29-37页 |
| 4.1 电势解析模型 | 第29-32页 |
| 4.2 阈值电压模型 | 第32-33页 |
| 4.3 分析及讨论 | 第33-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 双栅肖特基势垒源漏掺杂隔离器件 | 第37-52页 |
| 5.1 电势模型 | 第37-39页 |
| 5.2 势垒隧穿 | 第39-43页 |
| 5.3 分析与讨论 | 第43-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 纳米尺度器件建模：非平衡格林函数法 | 第52-66页 |
| 6.1 薛定谔方程 | 第52-54页 |
| 6.2 非平衡格林函数法 | 第54-61页 |
| 6.2.1 沟道中的掺杂原子 | 第54-57页 |
| 6.2.2 求解泊松方程 | 第57-58页 |
| 6.2.3 边界条件 | 第58-61页 |
| 6.3 分析与讨论 | 第61-65页 |
| 6.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 7.1 总结 | 第66-67页 |
| 7.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录Ⅰ MEDICI输入文件 | 第72-74页 |
| 附录Ⅱ Matlab输入函数 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位器件所发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
