| 目录 | 第2-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-25页 |
| 第一节 TFT-LCD基础知识简介 | 第7-13页 |
| 1.2 TFT-LCD驱动原理 | 第7-11页 |
| 1.3 TFT-LCD像素等效电路与驱动时序 | 第11-13页 |
| 第二节 a-Si：H TFT漏电流机理研究综述 | 第13-25页 |
| 2.1 非晶硅物理理论 | 第13-16页 |
| 2.1.1非晶桂的固体结构 | 第13页 |
| 2.1.2扩展态与局域态 | 第13-14页 |
| 2.1.3悬挂键 | 第14-15页 |
| 2.1.4 非晶硅能带结构 | 第15-16页 |
| 2.2 a-Si TFT器件理论 | 第16-17页 |
| 2.3 a-Si TFT的Id-Vg特性 | 第17-19页 |
| 2.4 a-Si TFT的漏电流机理 | 第19-24页 |
| 2.4.1 漏电流过大失效实例 | 第19-20页 |
| 2.4.2 沟道发射电荷 | 第20-21页 |
| 2.4.3 背沟道效应 | 第21-23页 |
| 2.4.4 Poole-Frenkel效应 | 第23-24页 |
| 2.5 第一章总结 | 第24-25页 |
| 第二章 a-Si：H薄膜晶体管阵列制程 | 第25-38页 |
| 2.1 TFT-LCD Array制程简介 | 第25-29页 |
| 2.2 关键工艺简介 | 第29-38页 |
| 2.2.1 等离子增强化学气相沉积 | 第30-33页 |
| 2.2.2 反应离子刻蚀 | 第33-35页 |
| 2.2.3 湿法刻蚀 | 第35-38页 |
| 第三章 a-Si：H TFT漏电流机理验证实验 | 第38-54页 |
| 3.1 实验环境与测试分析方法 | 第39-41页 |
| 3.2 验证TFT漏电流机理的实验设计与结果分析 | 第41-52页 |
| 3.2.1 膜质与膜厚改善对Ioff的影响 | 第41-46页 |
| 3.2.2 验证背沟道刻蚀改善对Ioff的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.3 验证N+a-Si和GateTape角改善对Ioff的影响 | 第48-52页 |
| 3.4 实验方案与结果综述 | 第52-53页 |
| 3.5 本章总结 | 第53-54页 |
| 第四章 a-Si：H TFT漏电流改善实验 | 第54-59页 |
| 4.1 实验方案概述 | 第54-55页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第55-57页 |
| 4.3 实验结果综述与最佳工艺条件选择 | 第57-58页 |
| 4.5 本章总结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |