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平板显示中非晶硅薄膜晶体管漏电流性质的研究改善

目录第2-3页
摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第5-25页
    第一节 TFT-LCD基础知识简介第7-13页
        1.2 TFT-LCD驱动原理第7-11页
        1.3 TFT-LCD像素等效电路与驱动时序第11-13页
    第二节 a-Si:H TFT漏电流机理研究综述第13-25页
        2.1 非晶硅物理理论第13-16页
            2.1.1非晶桂的固体结构第13页
            2.1.2扩展态与局域态第13-14页
            2.1.3悬挂键第14-15页
            2.1.4 非晶硅能带结构第15-16页
        2.2 a-Si TFT器件理论第16-17页
        2.3 a-Si TFT的Id-Vg特性第17-19页
        2.4 a-Si TFT的漏电流机理第19-24页
            2.4.1 漏电流过大失效实例第19-20页
            2.4.2 沟道发射电荷第20-21页
            2.4.3 背沟道效应第21-23页
            2.4.4 Poole-Frenkel效应第23-24页
        2.5 第一章总结第24-25页
第二章 a-Si:H薄膜晶体管阵列制程第25-38页
    2.1 TFT-LCD Array制程简介第25-29页
    2.2 关键工艺简介第29-38页
        2.2.1 等离子增强化学气相沉积第30-33页
        2.2.2 反应离子刻蚀第33-35页
        2.2.3 湿法刻蚀第35-38页
第三章 a-Si:H TFT漏电流机理验证实验第38-54页
    3.1 实验环境与测试分析方法第39-41页
    3.2 验证TFT漏电流机理的实验设计与结果分析第41-52页
        3.2.1 膜质与膜厚改善对Ioff的影响第41-46页
        3.2.2 验证背沟道刻蚀改善对Ioff的影响第46-48页
        3.2.3 验证N+a-Si和GateTape角改善对Ioff的影响第48-52页
    3.4 实验方案与结果综述第52-53页
    3.5 本章总结第53-54页
第四章 a-Si:H TFT漏电流改善实验第54-59页
    4.1 实验方案概述第54-55页
    4.2 实验结果与分析第55-57页
    4.3 实验结果综述与最佳工艺条件选择第57-58页
    4.5 本章总结第58-59页
第五章 总结与展望第59-61页
    5.1 总结第59-60页
    5.2 展望第60-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-64页

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