| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 ZnO 材料的基本性质及其在紫外发光方面的优势 | 第12-14页 |
| 1.1.1 ZnO 材料的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.1.2 ZnO 材料在紫外发光方面的优势 | 第13-14页 |
| 1.2 ZnO 基紫外光发射器件的研究进展 | 第14-18页 |
| 1.2.1 同质结光发射器件研究进展 | 第15页 |
| 1.2.2 异质结光发射器件研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3 本论文的研究内容和意义 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 ZnO 材料的常用制备方法及表征手段 | 第23-32页 |
| 2.1 ZnO 纳米材料的常用制备方法 | 第23-24页 |
| 2.2 ZnO 薄膜材料的常用制备方法 | 第24-27页 |
| 2.3 ZnO 材料的主要表征手段 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 ZnO 纳米线阵列及其核壳异质结构的制备和物性研究 | 第32-50页 |
| 3.1 尺寸可控的 ZnO 纳米线阵列的制备及其光学性质研究 | 第32-40页 |
| 3.1.1 高压脉冲激光沉积法制备 ZnO 纳米线阵列 | 第32-39页 |
| 3.1.2 水热合成法制备 ZnO 纳米线阵列 | 第39-40页 |
| 3.2 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米线阵列的制备及其光学性质研究 | 第40-46页 |
| 3.2.1 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米线阵列的制备 | 第41页 |
| 3.2.2 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米线阵列的形貌和微结构表征 | 第41-43页 |
| 3.2.3 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米线阵列的发光特性 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 第四章 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米线阵列紫外发光器件的制备和特性研究 | 第50-59页 |
| 4.1 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米柱 LED 的制备和微结构表征 | 第50-52页 |
| 4.2 ZnO/MgZnO 核壳结构纳米柱 LED 的电致发光性能研究 | 第52-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 金属局域表面等离子体(LSP)增强 ZnO 纳米线紫外光发射器件研究 | 第59-84页 |
| 5.1 表面等离子体基本理论和应用 | 第59-65页 |
| 5.1.1 表面等离子体激元 | 第60页 |
| 5.1.2 金属局域表面等离子体 | 第60页 |
| 5.1.3 表面等离子体的应用 | 第60-65页 |
| 5.2 Ag 纳米粒子修饰的 ZnO 纳米线紫外光发射器件的制备和特性研究 | 第65-74页 |
| 5.2.1 Ag 纳米粒子修饰的 ZnO 纳米柱阵列的制备和物性研究 | 第65-68页 |
| 5.2.2 Ag 纳米粒子修饰的 ZnO 纳米柱发光器件的制备和特性研究 | 第68-74页 |
| 5.3 Ag/MgO 中间层插入的薄膜异质结 LED 的制备和特性研究 | 第74-80页 |
| 5.3.1 Ag/MgO/ZnO 复合薄膜结构的制备及物性研究 | 第74-77页 |
| 5.3.2 Ag LSP 增强的薄膜异质结 LED 的制备与特性研究 | 第77-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第六章 结论 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第86-87页 |
