| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 半导体激光器的发展 | 第7-9页 |
| 1.2 半导体激光器的应用 | 第9-10页 |
| 1.3 小结 | 第10-13页 |
| 第二章 TM 模 808nm 激光器外延片的设计与分析 | 第13-23页 |
| 2.1 AlGaAs 与 GaAsP 材料参数与光学、电学特性 | 第13-16页 |
| 2.1.1 AlGaAs 材料的晶格常数与材料带隙 | 第13-14页 |
| 2.1.2 AlGaAs 材料的折射率 | 第14-15页 |
| 2.1.3 GaAsP 材料的晶格常数与材料带隙 | 第15-16页 |
| 2.2 半导体激光器的基本结构 | 第16页 |
| 2.3 TM 模 808 激光器有源层的设计 | 第16-19页 |
| 2.3.1 TE 模式与 TM 模式的区别与优缺点 | 第16-18页 |
| 2.3.2 张应变 GaAsP 材料的临界厚度 | 第18-19页 |
| 2.4 TM 模 808 激光器波导层的设计 | 第19-21页 |
| 2.5 小结 | 第21-23页 |
| 第三章 TM 模 808nm 激光器外延结构模拟分析 | 第23-31页 |
| 3.1 TM 模式激光器外延材料及结构设计 | 第23-24页 |
| 3.2 激光器外量子效率变化模拟分析 | 第24-26页 |
| 3.3 非对称限制波导结构的设计与分析 | 第26-30页 |
| 3.4 小结 | 第30-31页 |
| 第四章 TM 模 808nm 激光器外延片 MOCVD 生长研究 | 第31-49页 |
| 4.1 MOCVD 设备概述 | 第31-34页 |
| 4.2 有源层 GaAsP 材料的生长研究 | 第34-43页 |
| 4.2.1 半导体激光器外延材料常用表征方法 | 第34-38页 |
| 4.2.2 不同生长温度对固相中砷磷比的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 定温下气相砷磷比与固相中砷磷比的关系 | 第39-41页 |
| 4.2.4 不同量子阱厚度对模式的影响 | 第41-43页 |
| 4.3 TM 模 808nm 激光器外延片生长 | 第43-47页 |
| 4.3.1 GaAsP 量子阱生长质量分析与厚度确定 | 第43-44页 |
| 4.3.2 不同量子阱厚度与应变量对激光器模式的影响 | 第44-47页 |
| 4.3.3 不同波导层厚度对激光器效率的影响 | 第47页 |
| 4.4 小结 | 第47-49页 |
| 第五章 TM 模 808nm 半导体激光器性能分析 | 第49-57页 |
| 5.1 半导体激光器工艺概述 | 第49-52页 |
| 5.2 激光器模式测试 | 第52-53页 |
| 5.3 静态参数分析 | 第53-55页 |
| 5.4 激光器老化参数分析 | 第55-56页 |
| 5.5 小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
