| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 功率集成电路的发展 | 第10-13页 |
| 1.2 横向双扩散MOS 晶体管（LDMOS） | 第13-14页 |
| 1.3 SOI 功率器件的发展现状 | 第14-20页 |
| 1.3.1 SOI 中RESURF 原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 SOI 耐压结构 | 第15-18页 |
| 1.3.3 SOI 功率器件类型 | 第18-19页 |
| 1.3.4 SOI 功率器件的自加热效应 | 第19-20页 |
| 1.3.5 SOI 功率器件的Kink 效应 | 第20页 |
| 1.4 SON 技术 | 第20-23页 |
| 1.5 多孔硅材料 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文的主要工作 | 第25-26页 |
| 2 埋层RESURF 结构解析模型的分析 | 第26-32页 |
| 2.1 SOI-LDMOS 解析模型的发展与现状 | 第26-27页 |
| 2.2 SOI-MOSFET 漂移区击穿电压 | 第27-30页 |
| 2.2.1 漂移区击穿电压解析模型 | 第28-30页 |
| 2.2.2 三种结构漂移区击穿电压解析比较 | 第30页 |
| 2.3 寄生电容分析 | 第30-31页 |
| 2.4 小结 | 第31-32页 |
| 3 SON\多孔硅LDMOS 器件结构、工艺设计及仿真条件 | 第32-38页 |
| 3.1 SON\多孔硅LDMOS 结构设计 | 第32-33页 |
| 3.2 SON LDMOS 制备技术 | 第33-34页 |
| 3.3 多孔硅LDMOS 制备技术 | 第34-37页 |
| 3.3.1 多孔硅制备原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 多孔硅LDMOS 制备流程 | 第35-37页 |
| 3.4 仿真环境 | 第37页 |
| 3.5 小结 | 第37-38页 |
| 4 SON LDMOS 特性仿真及分析 | 第38-45页 |
| 4.1 漂移区设计对SON-LDMOS 器件击穿电压的影响 | 第38-40页 |
| 4.2 场板设计对器件击穿电压的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 SON LDMOS 的I-V 特性 | 第41页 |
| 4.4 SON LDMOS 与SOI LDMOS 性能比较 | 第41-44页 |
| 4.5 小结 | 第44-45页 |
| 5 多孔硅LDMOS 特性仿真及分析 | 第45-57页 |
| 5.1 多孔硅的导热性能 | 第45-46页 |
| 5.2 多孔硅器件建模 | 第46-48页 |
| 5.3 击穿电压分析 | 第48-50页 |
| 5.4 寄生电容分析 | 第50-54页 |
| 5.5 多孔二氧化硅LDMOS 的对比 | 第54-56页 |
| 5.6 小结 | 第56-57页 |
| 6 总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录一 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间发表的学位论文 | 第67页 |
