| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 逆变器研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.2 逆变器开关管器件选择 | 第11-13页 |
| 1.2 SIC器件概况 | 第13-15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 SIC MOSFET性能 | 第18-40页 |
| 2.1 SIC MOSFET与SI MOSFET、SI IGBT性能对比 | 第18-27页 |
| 2.1.1 导通电阻 | 第19-21页 |
| 2.1.2 跨导 | 第21-22页 |
| 2.1.3 栅极驱动电荷 | 第22-24页 |
| 2.1.4 体二极管 | 第24-25页 |
| 2.1.5 寄生电容 | 第25-27页 |
| 2.2 驱动电阻及寄生电感对器件性能影响 | 第27-29页 |
| 2.2.1 驱动电阻对器件性能的影响 | 第27-28页 |
| 2.2.2 寄生电感对器件性能的影响 | 第28-29页 |
| 2.3 器件的可靠性分析 | 第29-31页 |
| 2.4 SIC MOSFET对驱动电路的要求 | 第31-32页 |
| 2.5 双脉冲测试实验 | 第32-39页 |
| 2.5.1 双脉冲测试实验原理 | 第32-35页 |
| 2.5.2 SiC MOSFET器件特性测试 | 第35-38页 |
| 2.5.3 温度对SiC MOSFET性能的影响 | 第38-39页 |
| 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 基于SIC MOSFET半桥逆变器研究 | 第40-53页 |
| 3.1 基于SIC MOSFET半桥逆变器的工作原理 | 第40-41页 |
| 3.1.1 基于SiC MOSFET半桥逆变器拓扑结构 | 第40-41页 |
| 3.1.2 基于SiC MOSFET半桥逆变器调制方式 | 第41页 |
| 3.2 基于SIC MOSFET半桥逆变器的损耗分析 | 第41-52页 |
| 3.2.1 SiC MOSFET开关损耗 | 第41-49页 |
| 3.2.2 SiC MOSFET导通损耗 | 第49页 |
| 3.2.3 SiC MOSFET体二极管导通损耗 | 第49-50页 |
| 3.2.4 驱动损耗 | 第50页 |
| 3.2.5 电感损耗 | 第50-51页 |
| 3.2.6 直流母线电容损耗 | 第51-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 基于SIC MOSFET半桥逆变器实验 | 第53-63页 |
| 4.1 基于SIC MOSFET半桥逆变器设计 | 第53-57页 |
| 4.1.1 SiC MOSFET器件选择 | 第54页 |
| 4.1.2 滤波器设计 | 第54-55页 |
| 4.1.3 补偿环节设计 | 第55-57页 |
| 4.2 基于SIC MOSFET半桥逆变器实验结果 | 第57-62页 |
| 4.2.1 不同开关频率下对比实验 | 第57-60页 |
| 4.2.2 不同工作温度下对比实验 | 第60-62页 |
| 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68页 |
