| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 提要 | 第8-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 InN 的基本物理化学性质 | 第13-19页 |
| 1.2.1 InN 的晶体结构 | 第13-16页 |
| 1.2.2 InN 的光学特 | 第16-19页 |
| 1.3 表面电子积累层以及钝化 | 第19-22页 |
| 1.4 Burstein –Moss 位移以及 InN 能带带宽测量 | 第22-24页 |
| 1.5 p 型掺杂 | 第24-26页 |
| 1.5.1 p 型掺杂 InN 能带弯曲随着[Mg]的掺杂浓度变化而变化 | 第24-26页 |
| 1.5.2 p 型 InN 纳米线 | 第26页 |
| 1.5.3 InN p-i-n 结构二极管 | 第26页 |
| 1.6. InN 基异质结光电器件 | 第26-28页 |
| 1.6.1 异质结光电器件 | 第26-28页 |
| 1.7 InN 异质结器件的能带排列研究 | 第28-29页 |
| 1.8 气敏传感器 | 第29-31页 |
| 1.8.1 引言 | 第29-30页 |
| 1.8.2 InN 基传薄膜感器方面 | 第30-31页 |
| 1.9 InN 材料以及器件的研究现状 | 第31-34页 |
| 第二章 InN 分子束外延设备及其表征手段 | 第34-58页 |
| 2.1 分子束外延的基本原理 | 第34-37页 |
| 2.2 真空维持系统 | 第37页 |
| 2.3 衬底加热系统 | 第37-38页 |
| 2.4 束源炉蒸发系统 | 第38-39页 |
| 2.5 等离子体射频源系统（Radio Frequency Plasma Source） | 第39-41页 |
| 2.6 反射式高能电子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED)) | 第41-45页 |
| 2.7 X 射线光电子能谱 XPS | 第45-55页 |
| 2.7.1. 引言 | 第45页 |
| 2.7.2 XPS 的基本物理过程 | 第45-47页 |
| 2.7.3 真空系统 | 第47-48页 |
| 2.7.4 样品的制备 | 第48页 |
| 2.7.5 双阳极 X 射线源 | 第48-49页 |
| 2.7.6 X-射线单色器 | 第49-52页 |
| 2.7.7 电荷补偿 | 第52页 |
| 2.7.8 半球扇形分析器 | 第52-53页 |
| 2.7.9 小面积 XPS | 第53-54页 |
| 2.7.10 角分辨 XPS | 第54-55页 |
| 2.7.11 XPS 的定性分析 | 第55页 |
| 2.7.11.1 非期望特征谱线 | 第55页 |
| 2.8 利用 X 射线光电子能谱测量价带补偿的必要性 | 第55-58页 |
| 2.8.1 半导体异质结的能带排列图 | 第55-58页 |
| 第三章 InN 与 6H-SiC 的能带排列测定 | 第58-66页 |
| 3.1 前言 | 第58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 3.3 结论和分析 | 第59-65页 |
| 3.4 小结 | 第65-66页 |
| 第四章 GaAs(001)面上无催化生长高密度均一 InN 纳米柱及其原位 XPS 分析 | 第66-80页 |
| 4.1 前言 | 第66-68页 |
| 4.2 实验部分 | 第68-69页 |
| 4.2.1 实验的准备 | 第68页 |
| 4.2.2 生长条件 | 第68-69页 |
| 4.2.3 集成设备介绍 | 第69页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第69-79页 |
| 4.3.1 形貌和结构 | 第69-71页 |
| 4.3.2 XRD 图谱的分析 | 第71-72页 |
| 4.3.3 关于生长机制的讨论 | 第72-75页 |
| 4.3.4 对 InN 原位 XPS 谱的讨论 | 第75-78页 |
| 4.3.5 关于 PL 谱的讨论 | 第78-79页 |
| 4.4 小结 | 第79-80页 |
| 第五章 n-InN/p-NiO 异质结能带排列测定 | 第80-90页 |
| 5.1 前言 | 第80-81页 |
| 5.2 实验部分 | 第81-82页 |
| 5.2.1 样品的制备 | 第81-82页 |
| 5.2.2 所用仪器和测试条件 | 第82页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第82-89页 |
| 5.3.1 X 射线衍射分析 | 第82-84页 |
| 5.3.2 表面形貌分析 | 第84-85页 |
| 5.3.3 XPS 图谱的分析和价带补偿的计算 | 第85-89页 |
| 5.4 小结 | 第89-90页 |
| 第六章 通过轻微氮化在 n-InN (0001)面和 p-GaAs(001)面之间形成异质结 | 第90-99页 |
| 6.1 前言 | 第90页 |
| 6.2 实验部分 | 第90-91页 |
| 6.2.1 衬底处理 | 第90页 |
| 6.2.2 GaAs 衬底的氮化和 InN 的生长 | 第90-91页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第91-99页 |
| 结论 | 第99-101页 |
| 本论文的创新点 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-114页 |
| 作者简介 | 第114页 |
| 在学期间所取得的科研成果 | 第114页 |
| 在投稿或撰写过程中的论文 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116页 |
