| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第10-36页 |
| 1.1 HgCdTe材料简介 | 第10-18页 |
| 1.1.1 HgCdTe材料的物理性质和生长方法 | 第10-13页 |
| 1.1.2 HgCdTe材料性能测试方法 | 第13-18页 |
| 1.2 HgCdTe光导器件简介 | 第18-27页 |
| 1.2.1 HgCdTe光导器件的工作原理 | 第18-20页 |
| 1.2.2 HgCdTe光导器件制备工艺和性能参数 | 第20-22页 |
| 1.2.3 国内外研究现状 | 第22-27页 |
| 1.3 干法刻蚀技术 | 第27-34页 |
| 1.3.1 微台面隔离技术与干法刻蚀技术的优势 | 第27-28页 |
| 1.3.2 干法刻蚀技术的原理与分类 | 第28-29页 |
| 1.3.3 干法刻蚀在HgCdTe光导器件制备过程中的应用 | 第29-31页 |
| 1.3.4 HgCdTe干法刻蚀技术和实验设备 | 第31-34页 |
| 1.4 论文内容及写作安排 | 第34-36页 |
| 2 干法刻蚀热效应对材料电学性质的影响 | 第36-47页 |
| 2.1 ICP干法刻蚀机的刻蚀均匀性 | 第36-38页 |
| 2.2 流片结果异常的原因排查 | 第38-40页 |
| 2.3 实验结果及分析 | 第40-46页 |
| 2.3.1 载流子浓度的变化及分析 | 第42-44页 |
| 2.3.2 载流子迁移率的变化及分析 | 第44-46页 |
| 2.3.3 总结 | 第46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 3 干法刻蚀去除环氧胶方法的摸索 | 第47-56页 |
| 3.1 环氧胶的作用与性质 | 第47-49页 |
| 3.2 不同刻蚀气体对环氧胶的去除效果 | 第49-52页 |
| 3.3 器件制备过程中环氧胶的去除 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 干法刻蚀温度对HgCdTe器件性能的影响 | 第56-71页 |
| 4.1 刻蚀温度影响材料及器件性能的理论基础 | 第56-59页 |
| 4.2 低温刻蚀掩模的制备 | 第59-66页 |
| 4.3 刻蚀温度对器件性能的影响 | 第66-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 5 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文 | 第76页 |