| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究意义及目的 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第12-19页 |
| 1.2.1 RESURF技术 | 第13页 |
| 1.2.2 Superjunction (SJ)技术 | 第13-14页 |
| 1.2.3 ENDIF技术 | 第14-15页 |
| 1.2.4 Trench-Based技术 | 第15-19页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 具有低阻通道的分裂栅沟槽SOI LDMOS器件研究 | 第21-32页 |
| 2.1 Trench LDMOS器件基本原理分析 | 第21-22页 |
| 2.2 SGTL-LDMOS器件结构与工作原理 | 第22-23页 |
| 2.3 SGTL-LDMOS结构参数优化 | 第23-25页 |
| 2.3.1 渐变侧氧斜率的优化 | 第23-24页 |
| 2.3.2 低阻通道掺杂浓度的优化 | 第24-25页 |
| 2.4 三种结构的性能比较 | 第25-29页 |
| 2.4.1 击穿特性的比较 | 第25-27页 |
| 2.4.2 输出特性的比较 | 第27-28页 |
| 2.4.3 栅电荷的比较 | 第28-29页 |
| 2.5 SGTL-LDMOS器件的工艺实现 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 集成肖特基的多沟槽SOI LDMOS器件研究 | 第32-46页 |
| 3.1 金属半导体接触整流理论 | 第32-34页 |
| 3.1.1 PN结反向饱和电流 | 第32-33页 |
| 3.1.2 肖特基接触相关理论 | 第33-34页 |
| 3.2 MTS-LDMOS器件结构与工作原理 | 第34-35页 |
| 3.3 MTS-LDMOS结构参数优化 | 第35-37页 |
| 3.3.1 垂直场板深度的优化 | 第35页 |
| 3.3.2 垂直场板距沟槽左侧距离的优化 | 第35-37页 |
| 3.4 MTS-LDMOS器件性能分析 | 第37-43页 |
| 3.4.1 击穿特性的比较 | 第37-39页 |
| 3.4.2 输出特性的比较 | 第39-41页 |
| 3.4.3 栅漏电荷的比较 | 第41页 |
| 3.4.4 反向恢复特性的比较 | 第41-43页 |
| 3.5 MTS-LDMOS器件的工艺实现 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 埋氧场板SOI LDMOS器件研究 | 第46-59页 |
| 4.1 SOI LDMOS器件的RESURF判据 | 第46-47页 |
| 4.2 BFP-LDMOS器件结构 | 第47-48页 |
| 4.3 BFP-LDMOS结构参数优化 | 第48-51页 |
| 4.3.1 漏埋氧场板长度的优化 | 第48-49页 |
| 4.3.2 漏埋氧场板厚度的优化 | 第49-50页 |
| 4.3.3 源埋氧场板长度的优化 | 第50-51页 |
| 4.4 BFP-LDMOS器件性能分析 | 第51-56页 |
| 4.4.1 击穿特性的比较 | 第52-53页 |
| 4.4.2 输出特性的比较 | 第53-54页 |
| 4.4.3 自加热效应的分析 | 第54-56页 |
| 4.5 BFP-LDMOS器件的工艺实现 | 第56-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
