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硅、锗半导体材料电子特性的力学调控研究

摘要第4-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第13-32页
    1.1 面内等轴拉伸应变对Ge的电子特性调控作用第13-18页
        1.1.1 拉伸应变Ge实验上的研究现状第14-17页
        1.1.2 拉伸应变Ge理论是上的研究现状第17页
        1.1.3 拉伸应变Ge的研究意义和动机第17-18页
    1.2 silicene及其衍生物电子特性的应变调控研究第18-25页
        1.2.1 silicene及其衍生物实验方面的研究现状第19-21页
        1.2.2 silicene及其衍生物理论研究的现状第21-24页
        1.2.3 silicene及其衍生物研究的意义和动机第24-25页
    1.3 研究的主要内容和论文结构安排第25-27页
    参考文献第27-32页
第二章 理论背景和方法第32-45页
    2.1 多体理论第32-33页
    2.2 密度泛函理论第33-39页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn定理第34页
        2.2.2 Kohn-Sham方程第34-35页
        2.2.3 交换关联泛函近似第35-36页
        2.2.4 第一性原理平面波程序包VASP第36-38页
        2.2.5 投影扩展波方法第38-39页
    2.3 杂化泛函HSE06以及自旋轨道耦合第39-41页
    2.4 Hellmann-Feynman力和应力第41页
    2.5 声子的计算方法第41-43页
    参考文献第43-45页
第三章 面内等轴拉伸应变对Ge电子特性的调控研究第45-60页
    3.1 引言第45-46页
    3.2 计算方法第46-49页
        3.2.1 第一型原理计算细节第46-47页
        3.2.2 外延的应变第47-48页
        3.2.3 施加面内等轴拉伸应变的方法第48-49页
    3.3 结果和讨论第49-55页
        3.3.1 块体Ge的弹性常数、体模量和电子特性第49-50页
        3.3.2 Ge电子特性与等轴拉伸应变的依赖关系第50-53页
        3.3.3 Ge的直接和间接带隙与(001)、(111)和(101)面内等轴拉伸应变的依赖关系第53页
        3.3.4 Ge价带SOC分裂以及重空穴-轻空穴分裂与(001)、(111)和(101)面内等轴拉伸应变的依赖关系第53-55页
    3.4 本章小结第55-57页
    参考文献第57-60页
第四章 硅烯及其衍生物氢化硅烯和氟化硅烯非线性弹性特性研究第60-76页
    4.1 引言第60-62页
    4.2 密度泛函理论(DFT)计算细节第62-63页
    4.3 非线性弹性响应的连续性描述第63-66页
    4.4 独立的非线性弹性常数的拟合第66-70页
    4.5 面内压力与弹性常数的关系第70-73页
    4.6 本章小结第73-74页
    参考文献第74-76页
第五章 硅烯的理想强度、声子不稳定性以及应变对电子特性的调控研究第76-95页
    5.1 引言第76-77页
    5.2 计算方法第77-80页
        5.2.1 密度泛函理论(DFT)计算细节第77-78页
        5.2.2 施加三种应变的方法细节第78-80页
        5.2.3 声子色散计算的细节第80页
    5.3 结果和分析第80-92页
        5.3.1 原子结构第80-82页
        5.3.2 在三种拉伸作用下的应力-应变关系第82-83页
        5.3.3 silicene褶皱高度与三种应变的依赖关系第83-84页
        5.3.4 silicene在扶手椅和之字形方向的有限形变泊松比第84-85页
        5.3.5 无应变作用的silicene的声子特性第85页
        5.3.6 扶手椅方向单轴拉伸作用下silicene的声子特性第85-86页
        5.3.7 之字形方向单轴拉伸作用下silicene的声子特性第86-88页
        5.3.8 等轴拉伸作用下silicene的声子特性第88-90页
        5.3.9 silicene的电子特性与单轴拉伸应变的依赖关系第90-92页
    5.4 本章总结第92-93页
    参考文献第93-95页
第六章 氢化硅烯和氟化硅烯的理想强度、声子不稳定性以及应变对电子特性的调控研究第95-117页
    6.1 引言第95-96页
    6.2 计算方法和细节第96-99页
    6.3 结果和讨论第99-113页
        6.3.1 原子结构第99-100页
        6.3.2 三种拉伸作用下的应力-应变关系第100-102页
        6.3.3 褶皱高度以及扶手椅和之字形方向的泊松比与应变的依赖关系第102-104页
        6.3.4 应变的氢化硅烯和氟化硅烯声子特性第104-105页
        6.3.5 无应变作用的H-silicane和F-silicane电子特性第105-106页
        6.3.6 等轴拉伸应变对H-silicane电子特性的调控研究第106-108页
        6.3.7 扶手椅方向单轴拉伸应变对H-silicane电子特性的调控研究第108-109页
        6.3.8 之字形方向单轴拉伸应变对H-silicane电子特性的调控研究第109-111页
        6.3.9 三种拉伸应变对F-silicane电子特性的调控研究第111-113页
    6.4 本章小结第113-115页
    参考文献第115-117页
第七章 总结与展望第117-119页
    7.1 论文总结第117-118页
    7.2 展望第118-119页
致谢第119-121页
攻读博士学位期间发表论文情况第121页

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