| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题的提出和研究价值 | 第9-13页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第13-20页 |
| 1.3 课题的研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4 立题依据 | 第21-23页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第23-28页 |
| 2.1 实验所用试剂及仪器 | 第23-25页 |
| 2.1.1 试剂 | 第23-24页 |
| 2.1.2 仪器设备 | 第24-25页 |
| 2.2 实验方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 拉曼光谱分析 | 第25页 |
| 2.2.2 光学显微镜的分析 | 第25页 |
| 2.2.3 扫描电镜分析 | 第25页 |
| 2.2.4 透射电镜分析 | 第25-26页 |
| 2.2.5 原子力分析 | 第26页 |
| 2.2.6 电学测试 | 第26页 |
| 2.2.7 X 射线光电子能谱测试 | 第26页 |
| 2.2.8 透光率测试 | 第26页 |
| 2.2.9 电化学测试 | 第26-28页 |
| 第3章 氮掺杂石墨烯的制备及表征 | 第28-40页 |
| 3.1 氮掺杂石墨烯的机构与性质 | 第28页 |
| 3.2 氮掺杂石墨烯的制备 | 第28-30页 |
| 3.2.1 处理催化基底表面 | 第28-29页 |
| 3.2.2 制备石墨烯薄膜 | 第29页 |
| 3.2.3 转移石墨烯 | 第29-30页 |
| 3.3 氮掺杂石墨烯的表征 | 第30-36页 |
| 3.3.1 氮掺杂石墨烯的光学图像及拉曼光谱分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 氮掺杂石墨烯的扫描电镜分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 氮掺杂石墨烯的透射电镜分析 | 第32页 |
| 3.3.4 氮掺杂石墨烯的原子力扫描及厚度测试 | 第32页 |
| 3.3.5 氮掺杂石墨烯的 X 射线光电子能谱测试 | 第32-34页 |
| 3.3.6 氮掺杂石墨烯的透光率测试 | 第34-36页 |
| 3.4 各因素对低温下制备氮掺杂石墨烯的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.1 反应时间对制备的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.2 温度对制备的影响 | 第38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 硫掺杂石墨烯的制备、表征及电学性质 | 第40-47页 |
| 4.1 硫掺杂石墨烯的结构与性质 | 第40页 |
| 4.2 硫掺杂石墨烯的制备 | 第40-42页 |
| 4.2.1 处理催化基底表面 | 第40-41页 |
| 4.2.2 制备石墨烯薄膜 | 第41页 |
| 4.2.3 转移石墨烯 | 第41-42页 |
| 4.3 硫掺杂石墨烯的表征 | 第42-45页 |
| 4.3.1 硫掺杂石墨烯的光学图像及拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 硫掺杂石墨烯的扫描电镜分析 | 第43页 |
| 4.3.3 硫掺杂石墨烯的透射电镜分析 | 第43-44页 |
| 4.3.4 硫掺杂石墨烯的原子力扫描及厚度测试 | 第44-45页 |
| 4.3.5 硫掺杂石墨烯的 X 射线光电子能谱测试 | 第45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 掺杂石墨烯的 FET 性质 | 第47-56页 |
| 5.1 氮掺杂石墨烯的场效应晶体管的构筑与性能测试 | 第47-52页 |
| 5.1.1 氮掺杂石墨烯的纳米器件构筑 | 第47页 |
| 5.1.2 氮掺杂石墨烯在空气中的 FET 性质 | 第47-51页 |
| 5.1.3 氮掺杂石墨烯在真空中的 FET 性质 | 第51-52页 |
| 5.2 硫掺杂石墨烯的场效应晶体管的构筑与性能测试 | 第52-54页 |
| 5.2.1 硫掺杂石墨烯的纳米器件构筑 | 第52-54页 |
| 5.2.2 硫掺杂石墨烯的 FET 性质 | 第54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第6章 硫掺杂石墨烯作为阴极催化剂在燃料电池上的应用研究 | 第56-62页 |
| 6.1 实验的设计 | 第56-57页 |
| 6.2 硫掺杂石墨烯作为阴极催化剂的性能研究 | 第57-61页 |
| 6.2.1 硫掺杂石墨烯的氧化还原催化性能研究 | 第57-59页 |
| 6.2.2 硫掺杂石墨烯作为催化剂的稳定性 | 第59-60页 |
| 6.2.3 硫掺杂石墨烯作为催化剂的抗毒性 | 第60-61页 |
| 6.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及申请专利 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
