| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 SOI-LDMOS器件的概述 | 第10页 |
| 1.2 研究SOI-LDMOS功率器件开关特性的意义 | 第10-12页 |
| 1.3 国内外功率器件的开关特性研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 国外功率器件的开关特性研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 国内功率器件的开关特性研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文对功率器件开关特性的研究及论文工作安排 | 第15-17页 |
| 1.4.1 本文对功率器件开关特性的研究 | 第15页 |
| 1.4.2 论文工作安排 | 第15-17页 |
| 第二章 槽型SOI-LDMOS器件结构及重要参数分析 | 第17-29页 |
| 2.1 槽型SOI-LDMOS器件反向击穿电压 | 第17-20页 |
| 2.1.1 槽型SOI-LDMOS器件横向耐压 | 第17-19页 |
| 2.1.2 槽型SOI-LDMOS器件纵向耐压 | 第19-20页 |
| 2.1.3 平面槽型SOI-LDMOS器件耐压 | 第20页 |
| 2.2 槽型SOI-LDMOS器件导通电阻 | 第20-23页 |
| 2.2.1 槽型SOI-LDMOS器件源电阻R_(source) | 第21页 |
| 2.2.2 槽型SOI-LDMOS器件沟道电阻R_(channel) | 第21-22页 |
| 2.2.3 槽型SOI-LDMOS器件积累层电阻R_(acc) | 第22页 |
| 2.2.4 槽型SOI-LDMOS器件漂移区电阻R_(drift) | 第22页 |
| 2.2.5 槽型SOI-LDMOS器件漏极区域电阻R_(drain) | 第22页 |
| 2.2.6 槽型SOI-LDMOS器件总导通电阻R_(all) | 第22-23页 |
| 2.3 SOI-LDMOS器件中R_(on)与BV的矛盾关系 | 第23-24页 |
| 2.4 槽型SOI-LDMOS器件的栅电荷 | 第24-28页 |
| 2.5 小章总结 | 第28-29页 |
| 第三章 槽型SOI-LDMOS功率器件开关特性研究分析 | 第29-46页 |
| 3.1 常规槽型SOI-LDMOS与延长漏槽型SOI-LDMOS工作原理 | 第29-30页 |
| 3.2 常规槽型SOI-LDMOS器件与延长漏槽型SOI-LDMOS器件极间电容比较 | 第30-32页 |
| 3.3 确定常规槽形SOI-LDMOS器件和延长漏槽型SOI-LDMOS器件结构参数 | 第32-35页 |
| 3.4 器件结构参数对器件击穿电压BV、导通电阻R_(on)、栅漏电荷Q_(GD)影响 | 第35-44页 |
| 3.4.1 器件结构参数对BV影响 | 第35-38页 |
| 3.4.2 器件结构参数对R_(on)影响 | 第38-41页 |
| 3.4.3 器件结构参数对Q_(GD)影响 | 第41-44页 |
| 3.5 器件参数确定 | 第44-45页 |
| 3.6 小章总结 | 第45-46页 |
| 第四章 带场板延长漏槽栅型SOI-IDMOS功率器件 | 第46-63页 |
| 4.1 带场板延长漏槽型SOI-LDMOS功率器件 | 第46-50页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第46-47页 |
| 4.1.2 带场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件工作原理 | 第47-48页 |
| 4.1.3 器件等势线分析比较 | 第48-49页 |
| 4.1.4 器件导通电阻分析比较 | 第49-50页 |
| 4.2 带场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件开关特性分析 | 第50-51页 |
| 4.3 确定单场板、双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件结构参数 | 第51-60页 |
| 4.3.1 单场板、双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件击穿电压BV | 第52-55页 |
| 4.3.2 单场板、双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件导通电阻R_(on) | 第55-57页 |
| 4.3.3 单场板、双场板延长漏槽型SOI-LDMOS器件栅漏电荷Q_(GD) | 第57-60页 |
| 4.4 几种器件的优值FOM、栅漏电荷Q_(GD)相互比较 | 第60-61页 |
| 4.5 小章总结 | 第61-63页 |
| 总结与展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 硕士期间发表论文 | 第69页 |
