| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 主要符号表 | 第19-21页 |
| 1 绪论 | 第21-39页 |
| 1.1 低温等离子体在集成电路工业中的应用 | 第21-22页 |
| 1.2 低温射频等离子体源的简介 | 第22-24页 |
| 1.3 DF-CCP研究进展 | 第24-26页 |
| 1.4 DF-CCP研究的热点问题 | 第26-36页 |
| 1.4.1 离子通量和能量的独立控制 | 第26-28页 |
| 1.4.2 高低频的耦合效应 | 第28-31页 |
| 1.4.3 离子能量分布 | 第31-33页 |
| 1.4.4 驱动频率效应 | 第33-36页 |
| 1.5 DF-CCP研究存在的问题 | 第36-37页 |
| 1.6 本文研究内容安排 | 第37-39页 |
| 2 实验装置、诊断方法及数值模型 | 第39-50页 |
| 2.1 实验装置 | 第39页 |
| 2.2 诊断方法 | 第39-48页 |
| 2.2.1 微波发卡探针 | 第39-44页 |
| 2.2.2 光探针 | 第44-45页 |
| 2.2.3 四极杆质谱仪 | 第45-47页 |
| 2.2.4 电压-电流探测器 | 第47-48页 |
| 2.3 数值模型简介 | 第48-49页 |
| 2.3.1 PIC/MC模型 | 第48页 |
| 2.3.2 流体模型 | 第48-49页 |
| 2.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 3 O_2和Ar/O_2放电中的电子密度 | 第50-68页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第51-67页 |
| 3.2.1 高频功率的影响 | 第51-55页 |
| 3.2.2 低频功率的影响 | 第55-59页 |
| 3.2.3 气压的影响 | 第59-63页 |
| 3.2.4 电子密度的空间分布 | 第63-64页 |
| 3.2.5 Ar/O_2混合气体放电中的电子密度 | 第64-67页 |
| 3.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 4 Ar/O_2混合气体放电中的离子能量分布 | 第68-85页 |
| 4.1 引言 | 第68页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第68-84页 |
| 4.2.1 极板电压 | 第68-71页 |
| 4.2.2 Ar~+和O_2~+离子能量分布 | 第71-75页 |
| 4.2.3 低频频率的影响 | 第75-78页 |
| 4.2.4 低频功率的影响 | 第78-79页 |
| 4.2.5 气压的影响 | 第79-81页 |
| 4.2.6 高频功率的影响 | 第81-83页 |
| 4.2.7 误差分析 | 第83-84页 |
| 4.3 本章小结 | 第84-85页 |
| 5 Ar/CF_4和Ar/O_2/CF_4混合气体放电中的电子密度和离子能量分布 | 第85-97页 |
| 5.1 引言 | 第85页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第85-95页 |
| 5.2.1 电子密度 | 第86-91页 |
| 5.2.2 离子能量分布 | 第91-95页 |
| 5.3 本章小结 | 第95-97页 |
| 6 O_2放电中的驱动频率效应 | 第97-111页 |
| 6.1 引言 | 第97页 |
| 6.2 实验设备简介 | 第97-99页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第99-109页 |
| 6.3.1 吸收功率 | 第99-100页 |
| 6.3.2 在固定吸收功率条件下驱动频率对电子密度的影响 | 第100-106页 |
| 6.3.3 在固定极板电压条件下驱动频率对电子密度的影响 | 第106-109页 |
| 6.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 7 结论与展望 | 第111-114页 |
| 7.1 主要结论 | 第111-112页 |
| 7.2 创新点 | 第112页 |
| 7.3 展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-123页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
