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基于双电层晶体管的神经形态器件与系统

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第—章 绪论第11-27页
    1.1 类脑智能计算的背景及意义第11-12页
    1.2 人工神经网络算法与神经形态系统第12-14页
        1.2.1 人工神经网络算法第12-13页
        1.2.2 神经形态系统第13-14页
    1.3 人造神经元/突触器件在神经形态系统中的应用第14-24页
        1.3.1 忆阻器在神经形态系统中的应用第14-18页
        1.3.2 双电层晶体管在神经形态系统中的应用第18-24页
    1.4 本章小结第24-25页
    1.5 本文的主要研究工作第25-27页
第二章 双电层晶体管的实验制备和电学特性测试第27-39页
    2.1 实验材料和方法第27-29页
    2.2 双电层栅介质特性测试和分析第29-32页
        2.2.1 栅介质的质子导电特性测试第29-30页
        2.2.2 栅介质的双电层电容特性测试第30页
        2.2.3 双电层电容的理论解释第30-32页
    2.3 侧栅结构的双电层晶体管的电学特性测试第32-37页
        2.3.1 侧栅结构的双电层晶体管的基本电学特性测试第32-34页
        2.3.2 侧栅结构的双电层晶体管的突触仿生电学特性测试第34-37页
    2.4 本章小结第37-39页
第三章 双电层晶体管的TCAD仿真研究第39-57页
    3.1 半导体器件仿真软件Silvaco/Atlas简介第39-40页
    3.2 TCAD仿真中双电层电容的建模方法第40-41页
        3.2.1 传统电容的建模方法第40-41页
        3.2.2 双电层电容的离子迁移—扩散模型第41页
    3.3 双电层晶体管的数值仿真第41-54页
        3.3.1 双电层晶体管的传统特性仿真第42-44页
        3.3.2 双电层晶体管的突触仿生特性仿真第44-46页
        3.3.3 短时间易化/压抑与高通/低通滤波的实现第46-54页
    3.4 本章小结第54-57页
第四章 双电层晶体管的行为级建模与仿真第57-71页
    4.1 双电层晶体管的行为级建模第57-59页
    4.2 单侧栅结构的双电层晶体管的特性仿真第59-62页
        4.2.1 单侧栅结构的双电层晶体管的直流与瞬态响应第60-61页
        4.2.2 单栅结构双电层晶体管的突触仿生特性第61-62页
    4.3 多侧栅结构的双电层晶体管的树突整合特性的仿真第62-69页
        4.3.1 超线性求和的仿真第62-64页
        4.3.2 分流抑制的仿真第64-66页
        4.3.3 方向选择性的仿真第66-69页
    4.4 本章小结第69-71页
第五章 双电层晶体管的行为级模型应用于神经形态电路/系统仿真第71-85页
    5.1 硬件描述语言Verilog-A与电路仿真软件Hspice简介第71-72页
    5.2 基于双电层晶体管的神经网络的仿真第72-83页
        5.2.1 基于双电层晶体管的电路单元仿真第72-76页
        5.2.2 基于双电层晶体管的单层神经网络的仿真第76-78页
        5.2.3 基于双电层晶体管的多层神经网络的仿真第78-83页
    5.3 本章小结第83-85页
第六章 全文总结与展望第85-89页
    6.1 全文总结第85-87页
    6.2 后续工作展望第87-89页
参考文献第89-101页
已发表的论文第101-103页
致谢第103-104页

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