| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-55页 |
| 1 信息存储材料的研究现状及发展趋势 | 第13-23页 |
| ·电存储材料的种类 | 第14-22页 |
| ·电存储材料的发展趋势 | 第22-23页 |
| 2．有机材料中的杂原子效应 | 第23-40页 |
| ·含硫体系 | 第23-26页 |
| ·含氮体系 | 第26-33页 |
| ·含氟体系 | 第33-37页 |
| ·其他杂原子体系 | 第37-40页 |
| 3 有机电子器件稳定性的优化 | 第40-52页 |
| ·分子结构优化 | 第40-42页 |
| ·器件界面优化 | 第42-44页 |
| ·薄膜性能优化 | 第44-52页 |
| 4 本论文的目的意义及研究内容 | 第52-55页 |
| ·本论文选题的目的意义 | 第52-53页 |
| ·本论文的研究内容 | 第53-54页 |
| ·本论文的创新点 | 第54-55页 |
| 第二章 含硫杂环的芳香化合物逐步氧化对多进制存储器件性能的影响 | 第55-68页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-59页 |
| ·结果和讨论 | 第59-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第三章 苯并硫族二唑中单原子取代效应对三进制存储性能的影响 | 第68-82页 |
| ·引言 | 第68-70页 |
| ·实验部分 | 第70-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第四章 基于含氟有机小分子材料多进制存储器件的长效稳定性研究 | 第82-99页 |
| ·引言 | 第82-84页 |
| ·实验部分 | 第84-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 线性分子中末端氟原子个数变化对薄膜形貌及器件存储性能的影响 | 第99-112页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·实验部分 | 第100-102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 全文总结 | 第112-114页 |
| ·全文总结 | 第112页 |
| ·存在的问题和展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-137页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
