| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·选题背景及意义 | 第8-9页 |
| ·小量程MEMS压力传感器研究现状 | 第9-15页 |
| ·小量程MEMS压阻式压力传感器 | 第9-11页 |
| ·小量程MEMS电容式压力传感器 | 第11-15页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 2 小量程MEMS电容式压力传感器理论分析及结构设计 | 第17-27页 |
| ·传感器工作原理 | 第17页 |
| ·压敏极板力学性能分析 | 第17-18页 |
| ·传感器机电性能分析 | 第18-20页 |
| ·小量程MEMS电容式压力传感器研制难点 | 第20-21页 |
| ·传感器结构设计 | 第21-25页 |
| ·传感器总体设计 | 第22-23页 |
| ·传感器尺寸设计 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 3 小量程MEMS电容式压力传感器仿真分析 | 第27-35页 |
| ·压敏极板力学仿真 | 第27-32页 |
| ·压敏极板静力学分析 | 第28-30页 |
| ·压敏极板模态分析 | 第30-31页 |
| ·压敏极板谐响应分析 | 第31-32页 |
| ·传感器电容仿真 | 第32-34页 |
| ·传感器初始电容仿真 | 第32-33页 |
| ·传感器可变电容仿真 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 小量程MEMS电容式压力传感器芯片工艺研究 | 第35-55页 |
| ·工艺流程设计 | 第35-38页 |
| ·ICPECVD制备复合薄膜工艺 | 第38-47页 |
| ·ICPECVD设备及工艺简介 | 第39-40页 |
| ·工艺参数对薄膜性能的影响 | 第40-43页 |
| ·ICPECVD制备SiO2/Si3N4薄膜 | 第43-46页 |
| ·工艺结果及讨论 | 第46-47页 |
| ·牺牲层腐蚀释放工艺 | 第47-51页 |
| ·牺牲层腐蚀释放工艺简介 | 第47-48页 |
| ·SiO2牺牲层腐蚀与释放 | 第48-49页 |
| ·牺牲层释放孔设计 | 第49-50页 |
| ·工艺结果及讨论 | 第50-51页 |
| ·传感器芯片测试 | 第51-54页 |
| ·测试方案介绍 | 第51-52页 |
| ·测试结果及讨论 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |