集成式MEMS-FAIMS芯片设计与工艺技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·离子迁移谱技术简介 | 第9-10页 |
| ·FAIMS离子迁移技术的国内外研究现状 | 第10-13页 |
| ·MEMS-FAIMS芯片的优势 | 第13-15页 |
| ·本论文的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 FAIMS传感器工作原理 | 第16-25页 |
| ·离子迁移率 | 第16-18页 |
| ·低场离子迁移率 | 第17页 |
| ·高场离子迁移率 | 第17-18页 |
| ·离子与载气分子的相互作用模型 | 第18-20页 |
| ·刚性球模型 | 第18-19页 |
| ·极化极限模型 | 第19-20页 |
| ·硬核势能模型 | 第20页 |
| ·FAIMS工作原理 | 第20-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 FAIMS传感器的芯片设计 | 第25-41页 |
| ·离子源的选择 | 第26-27页 |
| ·FAIMS平板迁移区设计 | 第27-32页 |
| ·迁移区内的击穿电压 | 第28-29页 |
| ·迁移区内平行板的形变分析及仿真 | 第29-32页 |
| ·FAIMS迁移管尺寸的研究 | 第32-40页 |
| ·电离之后到达迁移区的比例系数 | 第32-33页 |
| ·离子通过迁移区的比例系数 | 第33-36页 |
| ·离子复合比例系数 | 第36-38页 |
| ·验证FAIMS迁移管的尺寸设计的合理性 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 FAIMS芯片敏感头的工艺研究 | 第41-62页 |
| ·FAIMS芯片敏感头的工艺流程简介 | 第41-45页 |
| ·玻璃的微加工设计 | 第42-43页 |
| ·硅的微加工设计 | 第43-44页 |
| ·硅玻璃键合后整体的微加工设计 | 第44-45页 |
| ·FAIMS芯片敏感头的关键工艺 | 第45-55页 |
| ·玻璃通孔互连工艺 | 第45-49页 |
| ·阳极键合工艺 | 第49-52页 |
| ·硅深刻蚀工艺 | 第52-55页 |
| ·FAIMS芯片敏感头的光刻掩模版图设计 | 第55-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 FAIMS芯片敏感头的制作 | 第62-79页 |
| ·玻璃结构制作工艺 | 第62-72页 |
| ·玻璃正面刻蚀浅槽、背面划片槽 | 第62-69页 |
| ·玻璃正面加工深槽、玻璃背面打孔 | 第69-70页 |
| ·玻璃正面腐蚀电极 | 第70-72页 |
| ·硅结构制作工艺 | 第72-75页 |
| ·硅正面刻蚀划片槽 | 第72-74页 |
| ·硅背面蒸发金属电极 | 第74页 |
| ·硅正面刻蚀迁移区 | 第74-75页 |
| ·硅玻璃结合后制作工艺 | 第75-77页 |
| ·阳极键合工艺 | 第75-76页 |
| ·玻璃背面剥离焊盘 | 第76页 |
| ·芯片进行退火、划片 | 第76-77页 |
| ·FAIMS芯片的尺寸测试 | 第77-78页 |
| ·玻璃部分 | 第77页 |
| ·硅部分 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 总结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 攻读硕士期间学术成果情况 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
