| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-33页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·纳米材料基本特征 | 第16-17页 |
| ·InAs材料基本结构和参数 | 第17-18页 |
| ·InAs纳米线的结构与合成 | 第18-21页 |
| ·InAs纳米线结构稳定性 | 第21-22页 |
| ·InAs纳米线输运特性 | 第22-24页 |
| ·提高InAs纳米线电子迁移率的方法 | 第24-25页 |
| ·纳米线掺杂 | 第25-28页 |
| ·纳米线掺杂的意义 | 第25-26页 |
| ·InAs纳米线p型掺杂 | 第26-27页 |
| ·影响纳米线掺杂效率的主要因素 | 第27-28页 |
| ·基于InAs材料的异质节纳米线 | 第28-31页 |
| ·径向核壳纳米线 | 第28-30页 |
| ·轴向异质节纳米线 | 第30-31页 |
| ·InAs纳米薄膜与二维材料的复合结构 | 第31-32页 |
| ·本文研究的意义、目的和内容 | 第32-33页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第33-46页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·多电子体系薛定谔方程 | 第33-34页 |
| ·能带理论中的近似 | 第34-40页 |
| ·绝热近似 | 第34-35页 |
| ·单电子近似 | 第35页 |
| ·周期场近似 | 第35-36页 |
| ·近自由电子近似 | 第36页 |
| ·紧束缚近似 | 第36-37页 |
| ·Bloch波函数展开方法 | 第37-38页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第38-40页 |
| ·密度泛函理论 | 第40-41页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第40-41页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第41页 |
| ·交换关联能泛函 | 第41-42页 |
| ·局域密度近似 | 第41-42页 |
| ·广义梯度近似 | 第42页 |
| ·格林函数方法 | 第42-44页 |
| ·平衡格林函数 | 第42-43页 |
| ·非平衡格林函数 | 第43-44页 |
| ·电子输运的计算方法 | 第44页 |
| ·基于密度泛函理论的VASP软件介绍 | 第44-46页 |
| 第3章 量子局域效应和表面效应对InAs纳米线电子结构和输运性质的影响 | 第46-57页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·InAs纳米线电子结构研究 | 第47-55页 |
| ·计算模型和方法 | 第47-48页 |
| ·量子尺寸效应对InAs纳米线电子结构影响 | 第48-53页 |
| ·表面效应对InAs纳米线电子结构影响 | 第53-55页 |
| ·InAs纳米线输运性质 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 组份和应力对GaSb/InAs核壳纳米线电子结构的调控 | 第57-69页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·计算方法和模型 | 第58-60页 |
| ·数值结果和讨论 | 第60-68页 |
| ·核壳比例对GaSb/InAs核壳纳米线电子结构影响 | 第60-63页 |
| ·单轴和双轴应力对GaSb/InAs核壳纳米线电子结构影响 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 GaSb/InAs核壳纳米线远程p型掺杂 | 第69-80页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·计算方法和模型 | 第70-71页 |
| ·数值结果和讨论 | 第71-79页 |
| ·Zn原子远程p型掺杂GaSb/InAs核壳纳米线电子结构 | 第71-75页 |
| ·载流子迁移率计算 | 第75-76页 |
| ·Zn原子对不同直径GaSb/InAs核壳纳米线远程掺杂的能带结构 | 第76-77页 |
| ·GaSb/InAs异质节薄膜Zn原子掺杂 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第6章 Graphene/InAs和MoS_2/InAs纳米复合体系电子结构和光吸收 | 第80-95页 |
| ·引言 | 第80-82页 |
| ·计算方法 | 第82-83页 |
| ·数值结果和讨论 | 第83-94页 |
| ·石墨烯与InAs纳米复合体系的电子结构和光吸收 | 第83-89页 |
| ·二硫化钼与InAs纳米复合体系的电子结构和光吸收 | 第89-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 结论与展望 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-115页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文 | 第115-116页 |
| 附录B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |
