| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·MOCVD技术概述 | 第8-12页 |
| ·空间太阳电池发展历程 | 第12-18页 |
| ·空间太阳电池历史回顾 | 第12-14页 |
| ·单结Ⅲ-Ⅴ族太阳电池 | 第14-15页 |
| ·多结Ⅲ-Ⅴ族太阳电池 | 第15-18页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 MOCVD系统研究 | 第20-31页 |
| ·MOCVD系统组成 | 第20页 |
| ·MOCVD系统组成部分的原理与作用 | 第20-31页 |
| ·外围条件保障系统 | 第20-25页 |
| ·MOCVD设备 | 第25-29页 |
| ·尾气处理系统 | 第29-30页 |
| ·安全防护报警系统 | 第30-31页 |
| 第三章 MOCVD系统使用过程中影响GaAs太阳电池生长质量研究 | 第31-39页 |
| ·外延片表面落尘对太阳电池生长质量影响 | 第31页 |
| ·生长温度对太阳电池生长质量影响 | 第31-32页 |
| ·外延层组分控制对太阳电池生长质量影响 | 第32-34页 |
| ·Ge衬底生长材料对太阳电池生长质量影响 | 第34-37页 |
| ·反应室气密性对太阳电池生长质量影响 | 第37页 |
| ·备件清洗对太阳电池生长质量影响 | 第37-39页 |
| 第四章 提高GaAs三结太阳电池的光电转换效率的研究 | 第39-66页 |
| ·提高光电转换效率的技术途径 | 第39-41页 |
| ·子电池带宽研究 | 第41-43页 |
| ·子电池设计研究 | 第43-46页 |
| ·Ge结子电池研究 | 第46页 |
| ·中间子电池研究 | 第46-49页 |
| ·GaInP顶电池研究 | 第49-51页 |
| ·电池的电流匹配研究 | 第51页 |
| ·隧穿结研究 | 第51-53页 |
| ·量子阱结构研究 | 第53-55页 |
| ·无失配GaInP材料的外延控制技术研究 | 第55页 |
| ·衬底无失配的材料外延技术研究 | 第55-56页 |
| ·电极体系选择研究 | 第56-58页 |
| ·减反射膜研究 | 第58-61页 |
| ·三结高效太阳电池的集成性优化设计仿真研究 | 第61-63页 |
| ·电池器件工艺研究 | 第63-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |