| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 附表索引 | 第10-11页 |
| 附图索引 | 第11-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-37页 |
| ·近、中红外半导体激光器 | 第14-15页 |
| ·近、中红外半导体激光器的应用 | 第15-19页 |
| ·近、中红外半导体激光器的研究现状 | 第19-35页 |
| ·存在和需要解决的问题 | 第35-36页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第36-37页 |
| 第二章 近、中红外半导体材料制备、表征与激光器基本特性 | 第37-48页 |
| ·典型的近、中红外半导体材料 | 第37-38页 |
| ·分子束外延生长技术 | 第38-39页 |
| ·材料测试分析技术 | 第39-40页 |
| ·激光器输出特性 | 第40-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第三章 1.5μm波段In(Ga)As量子点激光器研究 | 第48-76页 |
| ·半导体量子点概述 | 第48-49页 |
| ·1.5μm波段In(Ga)As量子点研究概况 | 第49-51页 |
| ·影响量子点生长和光学质量的因素 | 第51-55页 |
| ·量子点生长中采用的新技术研究 | 第55-63页 |
| ·In(Ga)As双层量子点的生长研究 | 第63-66页 |
| ·多层量子点的生长研究 | 第66-70页 |
| ·有源区的有效p型掺杂 | 第70-73页 |
| ·1.5μmDWELL结构激光器 | 第73-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第四章 2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb激光器的研究 | 第76-94页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料的制备 | 第76-78页 |
| ·InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器 | 第78-80页 |
| ·GaSb基材料的刻蚀研究 | 第80-85页 |
| ·GaSb基材料的硫钝化研究 | 第85-87页 |
| ·GaSb基材料的欧姆接触研究 | 第87-90页 |
| ·激光器制备工艺和表征 | 第90-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 第五章 总结与展望 | 第94-97页 |
| ·主要工作总结 | 第94-95页 |
| ·本论文具有创新意义的工作 | 第95页 |
| ·将来的工作 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-104页 |
| 博士期间发表的论文和专利 | 第104-105页 |
