摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-26页 |
·引言 | 第9页 |
·非挥发性存储器 | 第9-11页 |
·阻变存储器 | 第9-10页 |
·铁电存储器 | 第10页 |
·相变存储器 | 第10-11页 |
·磁阻存储器 | 第11页 |
·非挥发性阻变存储器的研究进展 | 第11-12页 |
·阻变材料 | 第12-14页 |
·电阻转换现象 | 第14-15页 |
·阻变机制 | 第15-19页 |
·导电细丝理论 | 第16-17页 |
·界面接触势垒模型 | 第17-19页 |
·场致氧离子迁移模型 | 第19页 |
·漏电流机制分析 | 第19-23页 |
·空间电荷限流效应 | 第20-22页 |
·普尔-法兰克效应 | 第22-23页 |
·肖特基发射效应 | 第23页 |
·欧姆传导效应 | 第23页 |
·阻变材料的制备方法 | 第23-24页 |
·论文选题的依据 | 第24-26页 |
第2章 阻变薄膜样品的制备 | 第26-36页 |
·Sol-gel 法简介 | 第26-27页 |
·实验设备以及材料 | 第27-30页 |
·薄膜样品衬底的清洗 | 第28-29页 |
·实验所需材料 | 第29页 |
·配液所需实验药品的计算 | 第29-30页 |
·氧化锌薄膜制备的工艺过程 | 第30-33页 |
·前驱液的配置 | 第30-31页 |
·薄膜制备工艺流程 | 第31-32页 |
·顶电极的制备 | 第32-33页 |
·氧化锌薄膜测试与分析 | 第33-35页 |
·X 射线衍射 | 第33页 |
·扫描电子显微镜 | 第33页 |
·原子力显微镜 | 第33页 |
·电学性能分析 | 第33-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
第3章 氧化锌薄膜阻变性能研究 | 第36-44页 |
·ZnO 薄膜XRD 和AFM 分析 | 第36-37页 |
·ZnO 薄膜电学性能 | 第37-38页 |
·Metal/ZnO/Pt 器件的保持性能 | 第38-40页 |
·Metal/ZnO/Pt 器件的漏电流机制与阻变机制分析 | 第40-42页 |
·不同掺杂对氧化锌薄膜的影响 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
第4章 掺La 氧化锌薄膜的阻变性能研究 | 第44-56页 |
·ZnLaO 薄膜XRD 和AFM 分析 | 第44-46页 |
·ZnLaO 薄膜电学性能 | 第46-47页 |
·ZnLaO 薄膜的可重复性研究 | 第47-48页 |
·Pt/ZnLaO/Pt 器件和Pt/ZnLaO/p-Si 器件的保持性能 | 第48-49页 |
·限流对阻变性能的影响 | 第49-51页 |
·薄膜厚度对阻变性能的影响 | 第51-52页 |
·漏电流机制与阻变机制分析 | 第52-54页 |
·小结 | 第54-56页 |
第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
·工作总结 | 第56-57页 |
·工作展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
攻读学位期间发表论文目录 | 第67页 |