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氧化锌薄膜的阻变性能研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-26页
   ·引言第9页
   ·非挥发性存储器第9-11页
     ·阻变存储器第9-10页
     ·铁电存储器第10页
     ·相变存储器第10-11页
     ·磁阻存储器第11页
   ·非挥发性阻变存储器的研究进展第11-12页
   ·阻变材料第12-14页
   ·电阻转换现象第14-15页
   ·阻变机制第15-19页
     ·导电细丝理论第16-17页
     ·界面接触势垒模型第17-19页
     ·场致氧离子迁移模型第19页
   ·漏电流机制分析第19-23页
     ·空间电荷限流效应第20-22页
     ·普尔-法兰克效应第22-23页
     ·肖特基发射效应第23页
     ·欧姆传导效应第23页
   ·阻变材料的制备方法第23-24页
   ·论文选题的依据第24-26页
第2章 阻变薄膜样品的制备第26-36页
   ·Sol-gel 法简介第26-27页
   ·实验设备以及材料第27-30页
     ·薄膜样品衬底的清洗第28-29页
     ·实验所需材料第29页
     ·配液所需实验药品的计算第29-30页
   ·氧化锌薄膜制备的工艺过程第30-33页
     ·前驱液的配置第30-31页
     ·薄膜制备工艺流程第31-32页
     ·顶电极的制备第32-33页
   ·氧化锌薄膜测试与分析第33-35页
     ·X 射线衍射第33页
     ·扫描电子显微镜第33页
     ·原子力显微镜第33页
     ·电学性能分析第33-35页
   ·小结第35-36页
第3章 氧化锌薄膜阻变性能研究第36-44页
   ·ZnO 薄膜XRD 和AFM 分析第36-37页
   ·ZnO 薄膜电学性能第37-38页
   ·Metal/ZnO/Pt 器件的保持性能第38-40页
   ·Metal/ZnO/Pt 器件的漏电流机制与阻变机制分析第40-42页
   ·不同掺杂对氧化锌薄膜的影响第42-43页
   ·小结第43-44页
第4章 掺La 氧化锌薄膜的阻变性能研究第44-56页
   ·ZnLaO 薄膜XRD 和AFM 分析第44-46页
   ·ZnLaO 薄膜电学性能第46-47页
   ·ZnLaO 薄膜的可重复性研究第47-48页
   ·Pt/ZnLaO/Pt 器件和Pt/ZnLaO/p-Si 器件的保持性能第48-49页
   ·限流对阻变性能的影响第49-51页
   ·薄膜厚度对阻变性能的影响第51-52页
   ·漏电流机制与阻变机制分析第52-54页
   ·小结第54-56页
第5章 总结与展望第56-58页
   ·工作总结第56-57页
   ·工作展望第57-58页
参考文献第58-66页
致谢第66-67页
攻读学位期间发表论文目录第67页

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